CF/ABS树脂复合材料制备工艺对导电性能的影响及对屏蔽性能的理论预测

本文研究了使用溶剂法、密炼机和开炼机混炼碳纤维填充ABS树脂复合材料的导电性能,得到了纤维填充量与复合材料电阻率的关系,对其导电机理进行了分析.通过比较,发现纤维长径比是决定复合材料导电性能的重要因素,其它如纤维在基体中的分布也对复合材料导电性能有影响.最后对复合材料的屏蔽性能进行了理论计算.     

我国研制出手机纳米电磁屏蔽材料

我国研制出手机使用的纳米电磁屏蔽材料，可以阻挡手机的辐射。 北京晚报报道，中国科学院理化技术研究所研制的环保型纳米导电涂料，和现在的微米级产品相比，新材料由于使用的金属颗粒粒度小，可以提高手机的抗干扰能力，使手机的信号更清晰，同时还能大大降低电磁波辐射。 据指出，使用纳米材料可以使电磁屏蔽材料的电阻降低三分之二，成本下降五分之一，并解决涂布过程中的管道堵塞问题。 报道称，这项技术还可以应用于电脑、电视、军工等电子、电器产品上，从而大大减少电磁辐射。 该所还与海尔集团合作开发了纳米抗菌手机外壳技术。 …     

银狐皮毛被及皮板组织构造的研究

用光学显微镜和扫描电镜观察了国产人工饲养银狐的毛被和皮板组织构造 ,测定了毛的长度、细度、密度、毛的鳞片高度和皮板厚度。提供了毛和皮板组织学图片 15幅。     

二过碘酸合银（Ⅲ）钾引发丙类酸甲酯在淀粉上接枝共聚合反应的研究

研究了由二过碘酸合银（Ⅲ）钾（简称Ag(Ⅲ））与可溶性淀粉组成的氧化还原体系，于碱性介质中引发淀粉的接枝共聚合反应，得到高接枝效率的接枝共聚物，测定了引发剂浓度、单体浓度、pH值和反应温度对接枝参数的影响，并探讨了引发机理。     

Ground-based investigation of atomic oxygen effects on naked Ag and Ag with protective organic coating

Protective behavior of organic coatinge of alkyd,epoxy,urethane and siloxance applied to silver solar cell interconnects and erosion of Ag were investigated by exposure experiments to ground simulation atomic oxygen(AO).Evaluations of their protective properties were made through assessing their mass cfhange characteristics,chemical and physical changes to Ao attack.The specimens,after exposure were analyzed with SEM/EDAX and XPS.The results indicated that the silver is heavily etched.some coatings such as epoxy,alkd,urethane are seriously degraded or removed as volatile oxides and morphology of coatings changes.It is evident that siloxane coatings have excellent properties for anti-AO attack.The erosion product consists of silicon dioxide layer of compact texture and is left on the surface to provide adequate protection fro further attack by the energetic AO.     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

基于BOOSt结构下不连续导电模式的PFC电路

采用现代高频功率变换技术的有源功率因数校正（Power Factor Corrector,PFC)技术是解决高频开关变换器谐波污染的有效手段。与传统的PFC电路相比，有源PFC电路的输入电流接近正弦波且与输与电压同相位，能有效抑制电流波形畸变和谐波，因此避免了对同一电网设施的干扰。在PFC电路中，Boost变换器是研究和应用得最多的一种变换器。本文着重分析了Boost电路在不连续导电模式状态下，PFC电路的临界条件，对实际电路结构的设计有很好的指导意义。