氧化铝丝的研制

氧化铅丝生产过程中最关键的工艺是连续阳极氧化。氧化膜击穿电压决定于氧化膜厚度。控制膜厚度的三要素为:电解液(成份、浓度及温度),槽电压和铝丝走速。     

铸造铝合金硬质阳极氧化工艺研究

以直流叠加脉冲电源对含铜的高硅铸造铝合金进行硬质阳极氧化，研究了电源脉冲幅度对膜层性能的影响。结果表明，提高氧化时电源的脉冲幅度能明显提高膜层性能。     

强化质量管理确保产品质量

介绍了该厂建全质保体系，提高专业素质，强化质量管理，确保产品质量的情况。     

金属阳极膜的光谱方法研究

金属阳极极化时生成的表面膜对金属的腐蚀行为往往有决定性的影响。如果阳极氧化物膜是稳定的,并且能致密地复盖住金属表面,那么金属的腐蚀就受到抑制。例如铁、镍表面的钝化膜就有这种性能。因此了解金属阳极膜的化学成份、结构、厚度等因素对研究金属腐蚀与防护是很重要的。 一些电化学方法如循环伏安曲线、恒定电流方法、电位衰退曲线及交流阻抗等方法对研究金属的阳极过程是很有用的。结合pH-电位图可推测氧化膜的组成。近年来,采用一些表面分析技术,如电子能谱、离子束分析技术已成功地分析了阳极膜的组成。但是这些表面分析技术是非现场方法,即测量时被测样品必须转移到高真空体系中,从而     

应用多孔阳极氧化电流—时间曲线比较壁垒膜厚

在有壁垒膜存在的表面,多孔膜的生长在氧化初期受到延迟阻碍,这一现象在直流恒压多孔阳极氧化电流一时间曲线上反映出来。电流达到稳态氧化的时间愈长,壁垒膜愈厚。文中应用此法判断了0.5MH_3BO_3介质的pH值、温度对壁垒阳极氧化膜厚的影响,并应用记录同一介质环境壁垒恒流阳极氧化的槽压一时间曲线得到验证。     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

环境因素对碳钢点蚀临界电势的影响

采用动电势扫描法测定了不同体系中碳钢发生点蚀的临界电势Eb。结果表明 :当Cl- 浓度 <0 .0 1mol/L时 ,随Cl- 浓度增加 ,临界电势负移并与Cl- 浓度成线性关系 ;pH值在 7～ 11之间 ,随pH值增加 ,临界电势正移并与pH值成线性关系 ;随温度增加 ,临界电势负移并与温度成线性关系。