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71.
在前人研究的基础之上,归纳总结了聚合物复合材料填充剂的种类,综述了对其进行表面改性的目的、条件、方法、工艺以及对改性结果的表征等。文章还分析了影响填充聚合物复合材料性能的因素,指出了今后发展的方向。  相似文献   
72.
着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰,探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时,利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化,给出新的解释。  相似文献   
73.
金刚石薄膜异质外延的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
主要介绍金刚石薄膜在Si上异质外延的研究状况。综述了外延金刚石薄膜的偏压形核 ,SiC过渡层的影响及一些实验参数对外延薄膜质量的影响等 ,并论述了发展方向  相似文献   
74.
The dye-sensitized TiO2 complex films were prepared by the dye coat onto TiO2 surfaces,and the sensitizing mechanism and adsorption properties of the dye-sensitized TiO2 complex films were inverstigated.The influence of the application conditions of dye adsorbed on TiO2 films on the amount of dye adsorption was discussed.Experimental results show that the concentration,the temperature of dye solutions and the dipping time of TiO2 films in the dye solutions have a significant influence on the amount of dye adsorption.Cell test indicates that the conversion efficiency of light to electricity increases with the amount of dye adsorption.  相似文献   
75.
朱建华  周兰 《光电工程》1994,21(3):61-64
对无明胶重铬酸盐全息记录软片(NGD)的光正性抗蚀特性进行了分析研究,通过对溶解度的分析及红外光谱的测定,首次提出NGD是一种新型的紫外正性光抗蚀材科,给出了实验及分析结果。  相似文献   
76.
Sputter deposition is currently being widely used in the microelectronics industry for the production of silicon integrated circuits. Recently interest has been focused on sputter deposition as a new materials processing technique. The highly energetic sputtered atoms enhance crystal growth and/or sintering during film growth. This results in lowering of the growth temperature of high temperature materials including cubic diamonds. Single crystals of complex ceramics materials could be prepared by sputter deposition through epitaxial growth process. Atomically controlled deposition using multi-target sputter enables to make man-made superlattice including high-T C superconductors of layered perovskite. At present sputter deposition is one of key materials technologies for the coming century.  相似文献   
77.
Thin epitaxial films of HgSe and Hg1−xCdxSe (x≤0.34) were successfully grown for the first time by molecular beam epitaxy. Film growth parameters are discussed, and results of structural, electrical, and optical studies are reported.  相似文献   
78.
Thin CdTe films were deposited by hot-wall epitaxy (HWE) on (111) HgCdTe and CdZnTe substrates at temperatures from about 140 to 335°C. X-ray rocking curves were used to show that crystal quality of the CdTe (111)B films improved as substrate temperature increased from 140 to about 250°C. Rocking curve values for full width at half maximum (FWHM) decreased from 2–4 degrees at 140–150°C to less than 100 arc-s at 250°C, and a FWHM of 59 arc-s was the lowest value observed near 250°C. The FWHM of the HWE CdTe was found to be insensitive to growth rate below about 400Å/min, but increased to four degrees at 1250Å/min. X-ray diffraction confirmed that films grown on the B-face at higher temperatures were epitaxial, but contained a significant volume fraction, 35% to 50%, of rotational in-plane twins. Electron microscopy confirmed a coarse twin density, and photoluminescence spectra showed an absence of excitonic emission in the HWE films. Simultaneous growth on two (111) HgCdTe substrates with different surface polarities between 230°C and 335°C showed that deposition rate on the A-face decreased relative to that on the B-face as temperature increased. Films grown on the B-face exhibited better surface morphologies than those grown on the A-face.  相似文献   
79.
Modified Atmosphere Packaging and related technologies are increasingly used to extend shelf-life of fresh produce. This paper reviews the effect of such technology on the spoilage microbiological flora and food-borne pathogens which may be present in produce and also on the organoleptic properties of the product.  相似文献   
80.
在导弹近炸引信起爆延时具有随机性基础上,本文建立了一种用延时及其数学特征表示的评定引战配合效率的简便方法,并对有关应用问题进行了讨论。  相似文献   
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