高强WSTi544221合金组织与性能研究

研究了轧制变形量对WSTi544221合金棒材显微组织和力学性能的影响,并对Φ10 mm规格的棒材进行不同制度的固溶+时效处理,对比了不同热处理状态下棒材的组织和力学性能。结果表明,随着轧制变形量的增大,WSTi544221合金棒材的晶粒细化程度增大,强度逐渐提高,但塑性变化不大。经870℃×1 h/WC+520℃×6 h/AC固溶+时效处理后,强度与塑性可以获得良好匹配,当抗拉强度达到1 610 MPa、屈服强度达到1 531 MPa时,延伸率和断面收缩率可分别保持在12%和43%。     

基于Bayes方法的Al-Mg-Mn合金断裂韧度研究

基于Bayes方法研究了Al-5.2Mg-0.7Mn-0.20Sc-0.1Zr合金的平面应变断裂韧度。结果表明,Al-5.2Mg-0.7Mn-0.20Sc-0.1Zr合金热轧板在L-T和T-L取向KIC值分别为32.66和32.03 MPa·m1/2,平面应变断裂韧度各向异性差别较小。     

工业生产条件下烧结温度对粉末冶金Fe-Cu-C合金组织和性能的影响

在实际工业生产条件下采用粉末冶金技术制备Fe-Cu-C合金,研究了烧结温度(1 060～1 160℃)对其密度、显微组织、物相组成、力学性能的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,合金的密度先增大后降低,并在1 140℃时达到最大值(7.02 g·cm-3);随着烧结温度的升高,合金组织中颗粒的球化程度提高,孔隙的尺寸减小、数量降低,显微组织趋于稳定,铜相衍射峰消失,Fe4Cu3相衍射峰出现;合金的抗拉强度、硬度随烧结温度的变化趋势与密度的基本相同,且均在1 140℃时达到最大值,分别为460 MPa,185 HRB,拉伸断口均主要呈脆性断裂特征;工业生产条件下制备的合金的力学性能指标基本与在实验室条件下制备的相吻合。     

基于ANSYS的非晶合金变压器铁心磁场的噪声研究

为了研究非晶合金变压器由于磁场分布而引起的噪声,应用ANSYS对非晶合金变压器铁心磁场进行三维有限元仿真。通过对不倒角和倒角两种模型进行对比分析,得到三维磁场分布的相关信息,并深入阐述了两种模型的差异。结果表明,倒角后模型的磁密分布得到了改善,有助于降低变压器的噪声,广泛运用于非晶合金变压器的生产中,磁场仿真结果与实际相符。仿真分析表明,有限元分析法有助于分析变压器铁心磁场噪声分布问题,从而给设计人员提供了更精确的设计依据。     

硼氢化钠对滑轮用铸钢板化学镀Ni-B合金薄膜性能的影响

在滑轮用铸钢板上化学镀Ni-B合金薄膜,并研究了硼氢化钠的质量浓度对化学镀Ni-B合金薄膜性能的影响。结果表明:适当增加硼氢化钠的质量浓度,有利于增大化学镀Ni-B合金薄膜的厚度及硼的质量分数,从而提高化学镀Ni-B合金薄膜的硬度。当硼氢化钠的质量浓度大于1.2 g/L时,硼氢化钠的水解速率加快及剧烈的析氢反应,导致化学镀Ni-B合金薄膜的厚度及硬度有所降低。当硼氢化钠的质量浓度为1.2 g/L时,化学镀Ni-B合金薄膜表面"胞状"颗粒均匀、致密,摩擦因数和磨损率最低,具有最佳的耐磨性。     

叶片封严槽的电火花加工方法研究

采用封严槽的电火花加工方法,设计了一种在电极底座上固定的铜钨合金块。首先采用数控铣削加工的方式将两块铜钨合金块加工成形状、位置分别与叶片大缘板和小缘板上待加工封严槽的形状一致、位置相匹配的两个电极。接着,在电极损耗后,同样采用数控铣削加工的方式重新加工出两块铜钨合金块相应的电极。减小更换电极的频率,避免因频繁更换电极造成电极位置波动而引起的封严槽位置度无法保证的问题。该方法使用两个电极对涡轮导向叶片同一面上的大缘板和小缘板上的封严槽进行同时加工,大幅提高了加工效率;同时,以铜钨合金替代紫铜作为电极材料,铜钨合金的强度更大,使用过程中电极不容易变形,提高了封严槽的加工精度及合格率。     

高Cr合金钢穿孔毛管内螺旋产生原因及其改善措施

分析高Cr合金钢穿孔过程出现的毛管内螺旋现象及其产生原因,提出改进措施。分析认为:钼顶头在使用过程中不断磨损及顶头尾部规圆段长度较短,是毛管产生内表面螺旋的主要原因;通过优化穿孔顶头形状,如缩短钼顶头穿孔锥长度、减小顶头穿孔锥角度等,可增加顶头耐磨程度,从而减轻穿孔后毛管内螺旋痕迹,提高穿孔毛管质量和钼顶头使用寿命,提高生产效率。     

Pd82Si18非晶合金结构演变的分子动力学模拟研究

为了研究Pd-Si非晶合金的结构和非晶转变过程中结构的演化规律,通过分子动力学(MD)方法模拟了Pd-Si体系从液态到非晶态的非晶转变过程,并利用双体分布函数、Voronoi多面体等方法表征了原子尺度结构。结果表明,通过MD模拟得到的非晶转变温度和合金液体的双体分布函数均与实验结果相一致。在非晶合金结构中,Pd与Si原子相互吸引并排列在第一近邻的位置上,而Si与Si原子之间的相互排斥作用使得它们之间的距离较大。在短程序结构(SRO)方面,在Pd原子周围并无占据主导地位的SRO,而在Si原子周围Z9和Z10为占据主导地位的SRO。此外,随着温度的降低,配位数缓慢增加,而SRO的含量和五重局部对称性的程度迅速增加,并且SRO连接得更加紧密。