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91.
We report improvement of emission efficiency in polymer light-emitting devices (PLEDs) employing phosphorescent polymers. A hole-blocking layer was inserted between the emissive layer and the cathode to enhance recombination efficiency for the injected holes and electrons. Aluminum(III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolato (BAlq) was used for the hole-blocking layer. The resultant PLEDs exhibited significant improvement of emission efficiency. The respective external quantum efficiencies for red, green and blue PLEDs were 6.6, 11 and 6.9%. These values are very high compared with those based on conventional fluorescent polymers.  相似文献   
92.
采用注视控制器实现复杂运动的仿真   总被引:1,自引:1,他引:0  
注视控制器是3DS MAX软件的众多控件之一,它能使多个物体彼此间产生运动约束。通过使用注视控制器功能,笔者成功制作出八足爬壁式仿生机械昆虫的运动场景动画,并使该仿生机械昆虫各足的行走动作符合机械零件作平面复杂运动时所应遵守的正确运动规律。由此证明,3DS MAX软件注视控制器对正确模拟特殊机械装置的复杂运动可产生极大作用。  相似文献   
93.
钼精矿产品质量的提高、粒度变细,干燥过程中结球现象严重。在氧化钼的焙烧过程中MoS2残留量较高。本文针对这一现象,分析了其结球机理,提出了相应对策及解决办法。  相似文献   
94.
谭关 《冶金丛刊》2003,(5):36-38
以较简单的电机控制线路,介绍了电器故障的检修方法,并以广钢金石分公司生产的实例分析了继电器接触控制系统和PLC自动控制系统电器故障的检修过程,说明电器故障的消除必须走了解过程、查找、排除三个步骤。  相似文献   
95.
介绍了一个基于Windows操作系统的数据采集软件,该软件用于使用重心法确定的位置信息的位置灵敏探测器,具有方便的人机交互界面,使用专用驱动程序采集数据。  相似文献   
96.
雷达发射机中大功率器件(如速调管)的强迫液体冷却是一种常用的冷却方式。本文根据某雷达发射机冷却系统的设计.介绍了大功率速调管发射机水冷系统的设计方法。  相似文献   
97.
GaN材料系列的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
宋登元  王秀山 《微电子学》1998,28(2):124-128
GaN及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,在光电子器件,高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景,已成为当前高科技领域的研究重点,论述了这种材料的研究历史与发展现状,物理与化学性质,薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。  相似文献   
98.
郑康 《电子器件》1998,21(4):228-232
本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析,相应的研究结果表明此法有利于拓宽STN液晶显示器的负温工作范围。  相似文献   
99.
一种新型声波降粘防蜡装置   总被引:1,自引:1,他引:0  
王清平  阎波 《石油机械》1998,26(8):35-37
新型声波降粘防措装置由上、下接头、振动簧片和收缩喷嘴构成。装置安装在抽油泵泵简之下,尾管之上,在压差作用下井下流体以较大速度从装置的喷嘴射出,冲击振动簧片,产生机械振动声波,油水混合液在声波中产生相应的声波力学效应和分散乳化作用等,使混合液在油管内的粘度降低,蜡晶不易聚集长大,从而达到降粘防蜡延长油井热洗周期的目的。室内试验及现场近20口井的应用情况表明,这种装置具有结构简单、成本低廉、应用方便等特点,具有明显的降粘防蜡效果。  相似文献   
100.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
张兴  李映雪 《微电子学》1996,26(3):160-163
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。  相似文献   
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