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991.
电力电子装置产生的谐波已成为电力系统的主要谐波污染源。在多重化整流电路结构特点基础上,以12脉波整流电路为例,建立了基于MATLAB-SIMULINK仿真模型并进行仿真,分别利用Powergui和傅立叶变换对其产生的谐波电流进行分析和计算,阐述了其消谐原理。得出结论:整流电路采用多重化联结方法,输出电压脉动较小,同时很好地抑制输入电流中某些特定次数的高次谐波,降低了电流的总谐波含量,从而有效地提高系统的功率因数。 相似文献
992.
993.
为获得高频信号源,采用0.13 μm 的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52 GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结构,且在输入端采用了一个单端转差分的巴伦,并利用二次谐波反射器减小反馈到输入的二次谐波对输出信号的影响,有效地提高了二次谐波输出功率。探针台测试结果表明,巴伦在2026.5 GHz范围内的插入损耗约为1 dB,且当二倍频器输入26 GHz信号,功率为0.5 dBm时,输出的52 GHz信号功率达到2.3 dBm,相应的基频抑制达到34 dBc,直流功耗约为21.8 mW,相应的功率附加效率为2.5%。这种二倍频器在达到高输出功率和高基波抑制的同时保持了较低的功耗。 相似文献
994.
为研究纳米压印中单晶铜亚表层晶体结构演变机理,采用分子动力学方法构建纳米压印仿真模型并模拟单晶铜纳米压印过程。采用改进的中心对称参数法分析单晶铜试件位错形核过程及缺陷演化机理,发现纳米压印时位错缺陷在压头下方形核并沿{1 1 1}滑移系向试件内部扩展形成堆垛层错,试件表面有原子台阶残留,试件亚表面损伤层存在V形位错等典型缺陷。针对位错形核区域及位错扩展区域材料晶体结构状态的识别,采用球谐函数法对模拟结果进行分析。由分析结果可知:位错形核区域材料晶体结构由FCC转变为排列更为紧密的HCP和ICO结构;位错扩展区域材料主要转变为DFCC结构。 相似文献
995.
现有配电网谐波数据存储安全控制方法存在着谐波数据存储安全性能低、安全控制时间长的问题,为此提出基于盲数BM模型的配电网谐波数据存储安全控制方法。利用盲数BM模型提取并处理配电网谐波数据,以此为基础,采用混合加密算法加密配电网谐波数据,以加密谐波数据为依据,创建谐波数据存储结构模型,设定谐波数据存储控制规则,完成谐波数据的存储,以存储的谐波数据为基础,利用云端验证存储谐波数据的完整性,实现了基于盲数BM模型的配电网谐波数据的存储安全控制。通过实验结果显示,与现有的配电网谐波数据存储安全控制方法相比较,提出的配电网谐波数据存储安全控制方法极大的提升了谐波数据存储安全性能,缩短了数据存储控制时间,充分说明提出的配电网谐波数据存储安全控制方法具备更好的性能。 相似文献
996.
油田钻井作业中变频器变频调速控制离心机已成为现实,变频器的日常检查和定期维护是不可缺少的,如果使用合理、维护得当、故障处理及时,就能够延长变频器的使用寿命,保证长期安全生产,从而减少因变频器突发故障而造成的停产损失.对变频器可能出现的故障及处理和变频器的安装、维护、使用中的注意事项进行了陈述. 相似文献
997.
无(位置、速度)传感器控制是当前国内外交流电机传动的热点,在20世纪末已经形成了以交流电机的Park方程为基础的基于电机基波模型的无传感器控制和以高频信号注入法为基础的基于电机谐波模型的无传感器控制两大体系.在介绍无传感器控制的基本策略的基础上,以近两年发表在国际重要学术刊物和学术会议的相关学术论文以及其引文为主要调研对象,按照基于基波模型和谐波模型的两大方向,介绍了近年来国际上无传感器控制策略的新进展,并进行了分析比较,进而揭示了无传感器控制发展的新特点和新趋势. 相似文献
998.
999.
引发中线开路的原因及危害分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由于非线性负荷的作用,可使中线电流中含有大量的3次谐波分量.中线电流还有可能超过相线电流,使某些连接点因为发热而被烧断,造成中线开路.分析r中线开路的原因,给出了儿种常用的低压电器电流波形和谐波测试数据.对中线开路后负载电压的变化进行了计算,结果表明负荷较轻的一相会出现过电压. 相似文献
1000.