乘CES东风众科技巨头争奇斗艳

随着科技的飞速发展。电子产品在人们日常生活和工作中发挥着越来越重要的作用.日前在拉斯韦加斯召开的国际消费电子展（CES）上，全球各地的半导体和电子厂商争相携其最新产品与技术参展。来自全球的2500家电子企业在为期4天的电子展上展出了他们的最新产品与服务。来自世界各地的140000位参观将尽情欣赏消费电子界最新最炫的产品。共同领略这期间涌现的最新产品与技术。向人们展示数字化未来的趋势。[编按]     

IIC-China巡展显示：半导体市场重心向中国转移

3月10日，一年一度的IIC-China巡展，再次在中国深圳开锣。这是环球资源在中国举行举办的第十一次IC技术和方案展示会。伴随着中国电子业的成长，参展商和展位数量均一路飙升，本届IIC今年的IIC-China是成立以来规模最大的一届，共有209家参展商，比去年增加21％，深圳展破纪录的展示了398个展位，比去年猛增33％。     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

利用SOA自发辐射和非对称马赫-泽德尔干涉仪实现全光波长变换的研究

对利用SOA中ASE输出频谱,实现全光波长变换的技术进行了理论与实验的研究.在这种波长变换技术中,信号光涮制SOA中的ASE强度和相位,通过光滤波器对ASE输出光谱进行频谱分割,以产生所需要的变换波长信号,并结合一个非对称马赫一泽德尔干涉仪实现信号码型的再反转.根据ASE输出光谱的波长依存性,建立从理论上推导出同相注入模式下的ASE输出功率以及其相位变化的数学表达式.通过实验,测定了波长变换系统的信号误码率、眼图以及时间波形等,并对这些实验结果进行了分析.     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

LD端面抽运掺Yb3+双包层光纤激光器自脉动行为的实验研究

本文对连续波半导体激光器端面抽运的Fabry-Perot腔掺Yb3 双包层光纤激光器的自脉动输出行为进行了研究．发现低Q值腔光纤激光器具有两种形式的自脉动输出，一种是饱和吸收被动调Q产生的自脉冲,另一种是与光纤中的受激Raman散射(SRS)效应相对应的阵发性巨脉冲．通过提高光纤激光器谐振腔的Q值并选择合适的抽运功率，可以有效地减小输出功率的自脉动，获得稳定的连续波激光输出．