高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

多回不共端高压输电线路互感参数的带电测试

提出一种用于带电测量输电线路互感参数的新方法。该方法采用全球卫星定位系统（ＧＰＳ）送出的时间同步信号作为各测量点的同步采样基准，解决了不同端线路互感参数带电测量的同时性问题。文中对该方法进行了理论上的分析，对于于带电测量互感的计算机系统的硬件组成进行了介绍。该装置已成功地用于实际之中。     

轨坯探伤提高重轨实物质量的探讨

分析了重轨缺陷产生的原因。探讨了增设轨坯探伤提高重轨实物质量的可行性。针对攀钢的情况，提出了实现轨坯探伤的检测方法和技术路线的建议。     

多层共挤复合热封材料的应用

在干式复合和挤出复合等复合薄膜中，用多层共挤复合薄膜替代普通单层薄膜作为热封基材在生产成本、加工性能和材料性能上具有明显的优势。多层共挤复合薄膜将成为一种新型的热封基材被越来越多的生产厂家和用户所接受。     

驱动压电陶瓷的高压放大器

概述了高压放大器的基本组成，以及采用高压稳压电源措施，提高高压放大器的性能，并简述了高压放大器输出级的工作原理，给出了过渡保护方法。