热力学稳定纳米层状陶瓷——M_(N+1)AX_N三元化合物

本文概要地介绍了一种新型热稳定纳米层状陶瓷——MN+1AXN相的结构、性能和 应用前景。MN+1AXN相为层状六方结构,能导电、导热。其维氏硬度一般在2—5GPa之间,具 有良好的抗热震性和低摩擦系数,并且易于加工。温度较高时,在空气中会发生氧化。     

Si3N4结合SiC窑具的研制及应用

本文根据试验确定了工艺路线,介绍了氯化烧成机理、原材料的选择及生产工艺对制品的影响,生产出的制品技术指标先进,性能优良。作为更新换代的新型窑具材料具有显著的经济效益和社会效益,有着广泛的使用价值。     

SiC晶须的分散研究

利用离心沉降浊度法对SiC晶须在四种不同的分散剂中的分散行为进行了研究,探讨了不同分散剂的分散效果,并对其分散机理进行了分析。结果表明,分散剂的分散能力顺序为AMP-95>DP518>DP270>A-1230。     

ZrO2增韧Al2O3／SiCnano复合陶瓷的力学性能及微结构

本文对Al_2O_3/SiC nano ZrO_2(3Y)复相陶瓷的力学性能和微结构进行了研究,探讨了ZrO_2(t)应力诱导相交增韧机制和纳米粒子增韧机制相互迭加的可能性。结果表明:适量的第二相纳米粒子ZrO_2(3Y)加入对材料的微结构有很大影响,同时对材料的力学性能的提高作出贡献。     

Al2O3/SiC纳米复合陶瓷的制备及性能

在Al2O3陶瓷基体中引入第2相纳米SiC颗粒,可以改善力学性能、耐磨损性能,是陶瓷领域研究的热点之一。纳米颗粒的均匀分散和适当的成型烧结决定了其性能。本文就目前存在的Al2O3/SiC纳米复合陶瓷粉体制备方法与烧结工艺进行了详细阐述。     

化学镀法制备SiC/Cu金属陶瓷复合粉体工艺的研究

为改善SiC与其他金属的结合性能，采用化学镀法在SiC粉体上镀Cu，制备包覆型陶瓷颗粒。通过精选、粗化、敏化、活化表面镀前处理，用硫酸铜镀液成功地得到在SiC上均匀镀Cu的包覆粉体，利用Olympus显微镜观察到包覆程度可达95％，通过详细讨论镀液的配方、pH值、镀液与SiC粉体的配比与对包覆效果的影响，最终得到硫酸铜用量控制在10—15g／l能得到我们所控制的沉积反应速度；包覆反应过程中pH值控制在11—13之间较为合适。     

炭/炭复合材料MoSi2/SiC抗氧化涂层的研究

采用包埋法制备C／C复合材料抗氧化MoSi2／SiC梯度涂层，同时对抗氧化涂层的形成、组织结构以及抗氧化性能与渗料的关系和抗氧化机理进行了研究。结果表明：采用包埋法制备的C／C复合材料抗氧化MoSi2／SiC梯度涂层致密，但有少量裂纹，涂层有良好的抗氧化效果。当Si与SiC保持一定的比例时，渗料中MoSi2的含量为50％时，涂层具有最好的抗氧化效果；当MoSi2与SiC保持一定的比例时，渗料中Si的含量为20％时，涂层具有最好的抗氧化效果。     

不同助烧结剂及造孔剂对SiC多孔陶瓷的影响

采用真空烧结方法制备了SiC多孔陶瓷，研究了不同助烧结剂Al2O3-Y2O3、Si以及不同造孔剂丙烯酰胺聚合物、羧甲基纤维素（CMC）对SiC多孔陶瓷形貌和气孔率的影响。结果表明：与Si相比较，Al2O3-Y2O3更有利于促进SiC的烧结；以Al2O3-Y2O3为助烧结剂的试样比以Si为助烧结剂的试样具有较高的气孔率。     

Application of pulse discharge sintering (PDS) technique to rapid synthesis of Ti3SiC2 from Ti/Si/C powders

To synthesize Ti₃SiC₂ samples, pulse discharge sintering (PDS) technique was utilized to sinter elemental powders of Ti/Si/C with stoichiometric and off-stoichiometric ratios in a temperature range of 1200–1500 °C. The results showed that high purity Ti₃SiC₂ could not be obtained from the Ti/Si/C powder with molar ratio of 3:1:2, and Ti₃SiC₂ preferred to form at relatively low sintering temperature for a short time. When 5Ti/2Si/3C and 3Ti/1.5Si/2C powders were sintered for 15 min, the TiC content was respectively decreased to 6.4 and 10 wt.% at 1250–1300 °C. The corresponding relative density of the samples sintered from 5Ti/2Si/3C powder was calculated to be as high as 99% at the temperature above 1300 °C. It is suggested that low-temperature rapid synthesis of Ti₃SiC₂ would be possible through the PDS technique, provided that the composition of the starting powders should be adjusted to be off-stoichiometric ratio from 3:1:2.