200kA大型预焙槽强化电流后技术条件的优化——高分子比降低槽工作电压

本文主要通过对一、二、三电解厂强化电流前后技术条件的对比，阐述了适当提高分子比、降低电解槽槽工作电压对节能降耗的重要性。     

高速公路软基段桥梁边墩位移处理

通过某高速公路软基段桥梁边墩位移工程实例,介绍了高速公路桥梁边墩位移常见的处理方法,工程实践对类似工程有一定的借鉴作用。     

上海市区黄浦江防汛墙沉降规律研究（下）

按照前文分析,上海市区防汛墙受地面沉降和结构自身等因素发生沉降,致使防汛能力已有不同程度下降,预测未来,虽然现有防汛墙自身结构沉降已逐步趋向稳定,但受近墙工程及其他人为活动引起结构沉降是不确定的,尤其是起主导影响的上海地区地面不均匀沉降仍将继续,势必不断加重对防汛墙防洪能力的影响,若不及时采取有效措施,将难     

RF磁控溅射制备钛酸锶钡BST纳米薄膜

钛酸锶钡(BST)薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景,人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进行了大量的研究。BST纳米薄膜的制备工艺直接影响和决定着薄膜的介电性能(介电常数、漏电流密度、介电强度等)。对RF磁控反应溅射制备BST纳米薄膜的工艺技术进行了综述。从溅射靶的制备、溅射工艺参数的优化、热处理、薄膜组分的控制,及制备工艺对介电性能的影响等方面,对现有研究成果进行了较全面的总结。     

多带OFDM-UWB系统峰均功率比降低方法研究

针对多带OFDM—UWB信号存在高峰均功率比的问题，提出了利用扩展与交织降低系统信号峰均功率比的方法。该方法通过对传输数据进行正交扩展与交织，使得进入多载波调制的数据趋于高斯分布，减小了传输数据自相关函数的旁瓣峰值，降低了OFDM-UWB信号的峰均功率比。由于采用正交矩阵进行扩展，扩展前后的数据传输速率保持不变。仿真结果表明，扩展与交织可以有效地降低信号峰均功率比2-5dB左右。同时该方法还具有抗窄带干扰的鲁棒性。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

用宽屏玩转非宽屏游戏

虽然宽屏已经成为笔记本电脑特别是娱乐机型显示屏的主流，不过支持宽屏显示的游戏目前并不丰富，大多数游戏画面的长宽比仍然是4：3，因此，宽屏笔记本电脑在显示游戏画面时往往需要将画面进行拉伸，在改变了画面正常比例之后，游戏快感自然也受到明显的影响。为了在宽屏笔记本电脑上更好地游戏，笔者建议采取两种办法：给游戏打上支持宽屏显示的补丁程序；或者在维持画面长宽比的条件下更改显示设置。     

锻造镁21世纪的展望

镁合金作为结构材料越来越受到关注。在汽车领域，由于质量轻、高比强度、相当好的可塑性，而更重要的是制造和组装成本低等特性，应用相当广泛。此外，在电子工业方面，一系列便携式设备也广泛使用镁合金，因为它们刚性好、导热好、电磁干扰(EMI)屏蔽能力强等特点而受到欢迎。