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981.
982.
GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
陈正明 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):182-185
用N2气和NF3反应气体,在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶AZ1518作掩模,均匀、快速刻蚀SiO2,SiON,Si3N4,WN,W等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术,将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示,实现了计算机辅助监控和终点检测技术。 相似文献
983.
本文论述了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器的设计,并提出了一种新型的电路结构,分析了它的性能,以及元器件的非理想特性对其性能的影响和采取的补偿方法。 相似文献
984.
RS码频域编译码的计算机模拟 总被引:7,自引:0,他引:7
频域编译码是近年来由Blahut等人提出来的纠错码编译方法。本文介绍了在时域和频域编译RS码的基本方法,并给出了在移动信息道的简单分群Markov模型下频域编译码的计算机模拟方法和结果。 相似文献
985.
本文叙述了作者设计并制作的具有多种告警和保护功能的380V交流自动调压器的控制装置。它可使调压精度提高到工作电压的士1%以内,并在自动调压器输出电压过高或过低时、或出现故障时进行告警。当出现故障或误动作时自动切断调压电动机的电源。 相似文献
986.
本文详细系统地介绍了我国有线是视发展历史和现状,及其经营和管理方法。重点介绍了北美的CATV技术发展动向。最后,指出我国CATV事业发展中的应用重视的问题。 相似文献
987.
本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积(CVD)法生长金刚石膜,在Si及WC-Co硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异,经适当表面处理及选择合适的工艺条件,当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜,衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Raman谱分析表明此膜仅具有特征金刚石1332cm ̄(-1)峰,通过SEM观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长,并与衬底有良好的联结。 相似文献
988.
989.
溢流反弧段水流边界层有关概念的探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
本文对溢流反孤段水流边界层的定义方法进行分析讨论。在分析及弧段流速分布的基础上提出离心力附加边界层厚度和粗糙度附加边界层厚度的概念,研究了壁面曲率和壁面粗糙度对溢流反弧段边界层发展的影响。 相似文献
990.
本文提出二元合金A_(1-x)B_x的初级金属固溶体的固相线的计算公式为:T_m(x)=T_(mA)F(x),其中T_(mA)是A金属的熔点,F(x)是以X为变量、包含A和B的原子密度N、价数Z、熔化体积增率(△V/V)和熔化熵△S的解析函数.对于以Cu、Ag、Au为基的、包含一价到四价的简单金属的24种初级金属固溶体的固相线作了理论计算.与实验结果符合较好.对于三元合金也作了相应的推广. 相似文献