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101.
A systematic investigation of the magnetic and transport properties of Ti doped La0.67Ca0.33MnO3 was reported. The Ti substitution for Mn ions results in a reduction in ferromagnetism and conductivity. The metal-insulator transition temperature is close to Curie temperature which decreases from 274 to 82 K as x increases from 0 to 0.17. The most important effect of Ti doping is to introduce spin clusters in the samples due to the distortion of local lattice and the inhomogeneous magnetic structure induced primarily by the random distribution of Mn ions. A maximum magnetoresistance ratio as large as 90% in 1 T at 122 K was obtained for the sample with x =0. 055, which is four times larger than that obtained for LCMO sample at 272 K. There is a remarkable field-history dependent MR in the cooling process for the doped samples while such phenomenon disappears in the warming run. The resistivity follows well the variable range hopping behavior in paramagnetic state. Both the size effect and spin dependent hopping of carriers between the spin clusters should be considered in this system. 相似文献
102.
103.
在Matlab环境下对试验测取的示功图进行了修正处理,包括消除通道效应、上止点修正及压力的标定,并根据修正前后的示功图计算了放热率,计算结果表明所用修正方法是合理的. 相似文献
104.
105.
商业化运营模式促进产业创新,一度成为深圳地区IC设计业的活力源泉。不过,在经历繁荣创业之后,本土企业的进一步发展需要整个成熟产业环境的支持,小而散的灵活性并不能支撑一个区域产业的长久竞争,长三角半导体产业的发展已经证明群聚效应带来的综合竞争力是1加1远大于2。 相似文献
106.
回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响 总被引:5,自引:3,他引:2
结果表明,预应变后的合金经回复应变退火后,组织转变分为三个阶段,形状记忆效应主要产生于475℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变,475℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为500℃。 相似文献
107.
108.
109.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
110.
研究了经溶液共混制备的聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚碳酸酯(PET/PC)共混物的辐射效应。结果表明:PET/PC共混物在辐照过程中未发生酯交换反应和交联反应,但有降解反应发生。在研究的剂量范围内,辐照对PET/PC共混物中PET和PC的晶体形态影响不明显。 相似文献