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992.
993.
对低温烧结Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质陶瓷进行了研究,讨论了V离子取代Nb离子进入铌酸锌晶格后对材料结构与微波性能的影响以及V5+取代后材料结构与性能之间的关系.实验结果表明少量V5+取代Nb5+后材料的烧结温度可从未取代时的1150℃显著降至取代后的950℃;V离子进入铌酸锌晶格,材料晶体结构仍为铌铁矿结构;低温烧结后ZnNb0.9(V0.1)2O6微波介质材料具有圆柱状微结构和部分玻璃相物质;Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质材料950℃烧结后具有最佳微波介电性能(介电常数为25,Q×f值为29 500GHz,谐振频率温度系数为-44×10-6/℃). 相似文献
994.
用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法 总被引:1,自引:0,他引:1
《表面技术》2006,35(4):26-26
一种用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法,主要适用电化学分析和检测时的电极。本发明的薄膜中含有硼为0.3%至0.5%,含碳量为99.5%至99.7%。采用微波增强化学气相沉积方法制备。制备过程中,选用硅作为基底,硅基底要经过喷砂、清洗以及置入金刚石粉与酒精混合液中用超声波作用等处理后放入沉积室内。选用氢气和甲烷的混合气体为碳源的反应气体。选用1%的硼酸三甲酯和99%的氢气的混合气体为掺硼气源。 相似文献
995.
由于Na,K在高温下容易挥发,因而采用普通陶瓷烧结工艺难以得到致密的碱金属铌酸盐系陶瓷,只能通过热压烧结制备高密度的铌酸钾钠(NaNbO3-KNbO3)系无铅压电陶瓷.本研究采用放电等离子烧结(SparkPlasma Sintering,SPS)技术,通过配料、研磨混料、焙烧、SPS烧结、退火工艺后,制备出白色略带黄色的Na0.5K0.5NbO3压电陶瓷试样.在烧结过程中,没有观察到明显的碱挥发,试样密度随烧结温度的增加而增大,860℃以上温度烧结时,试样的密度达到4.22g/cm3(为理论密度的92%).采用分步极化方法对试样进行极化,即先在高温下用低电压极化,再在低温下用高电压极化,极化后样品的压电常数d33为37pC/N~49pC/N. 相似文献
996.
997.
采用放电等离子火花烧结法(SPS)制备四元ZnxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0.05~0.4)(摩尔分数,下同)合金,得出当Zn的量为0.05时,材料的电导率出现最大值,室温附近其值为2.5×104Ω-1·m-1,大约是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.35倍.在同温度下,功率因子p值也取得最大值(1.65×10-3W·m-1·K-2),而三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的功率因子p值为1.35×10-3W·m-1·K-2.在该合金中用Zn替代Sb元素后,合金的微结构逐渐随Zn的含量发生变化. 相似文献
998.
对CuZnAl(RE)形状记忆合金采用不同热处理工艺后,进行了干滑动磨损试验.在不同相变温度、不同载荷、不同磨损时间的条件下,做了CuZnAl(RE)形状记忆合金的干磨损试验,并与ZQSn5-5-5和ZQAl9-4做了对比,用电子扫描显微镜和X衍射仪对磨损表面和磨屑相组成进行了观察和检测.试验结果表明,晶粒细化与锻打能提高合金的耐磨性,合金的M相比β相耐磨,两级时效处理的合金耐磨性能优于分级淬火处理的合金.CuZnAL(RE)形状记忆合金的耐磨性优于ZQSn5-5-5和ZQAl9-4.CuZnAl(RE)形状记忆合金磨损机制主要为粘着磨损、剥离磨损和磨粒磨损. 相似文献
999.
1000.
通过尝试对MoSi2+C坯体中熔融渗Al制备了Mo(Si,Al)2-SiC复合材料,并对其组织及性能进行了研究.反应熔渗Al法制备Mo(Si,Al)2-SiC复合材料中,反应生成物主要为Mo(Si1-x,Alx)2和SiC相,还有少量Mo5Si3C和Al相.随着x值的增加,Mo5Si3C相和Al相逐渐减少,并消失.其组织为片状Mo(Si,Al)2组织间隙中分布着针尖状SiC颗粒;从断口形貌看,SiC颗粒非常细小,团聚在大的Mo(Si,Al)2颗粒周围.根据断口形貌,部分形成的SiC为晶须状,当x=0.4时,形成的SiC多为晶须状,并且形成的晶须状的SiC和Mo(Si,Al)2连成片.反应熔渗Al法制备复合材料抗弯强度是随着x值先增加后降低,在设计值x=0.237时取得最高值. 相似文献