掺氟氧化锡(SnO_2:F)纳米粉末的制备

以SnCl4.5H2O、氨水和HF酸为主要原料,用化学方法制取了掺氟氧化锡(FTO)纳米粉末。用XRD、SEM分别研究了FTO粉末的相结构和形貌,用比表面仪测定了粉末比表面积,同时测试了FTO粉末的电阻率。结果表明:FTO粉末是四方晶系金红石结构;在500℃下焙烧制取的粉末电阻率最低,为50?.m,比表面积为61.00m2/g。采用无水酒精球磨分散等步骤,可有效防止粉末团聚。     

烧结型SnO_2可燃气体敏感元件研究

采用化学沉淀法与浸渍法结合制备的Ａｇ－ＳｎＯ＿２粉料，金属银无规则地分布于ＳｎＯ＿２的表面，当Ａｇ的掺杂量为２ｗｔ％左右、工作温度在２６０℃左右时，可获得气敏性能良好的可燃气体敏感元件。     

乙炔敏感元件的研制

以ＳｎＯ２为基质材料，掺杂微量的Ｐｄ，Ａｕ等元素制成了对乙炔敏感的气体传感器，研究了器件的灵敏度、响应、恢复特性、长期稳定性等敏感特性。结果表明该传感器具有一定的实用价值．     

碱土金属掺杂SnO_2薄膜气体传感器

经过真空镀锡膜、氧化和化学浸渍，制作了碱土金属掺杂ＳｎＯ２薄膜气敏元件，并测试了元件的气敏特性．结果表明，元件对乙醇和丙酮气体灵敏度和选择性得到提高、而对苯、丁烷、液化石油气、氨气、氢气和煤气不敏感．     

我国环保型银氧化锡触头材料制备技术专利分析

从国内相关银氧化锡电触头材料制备领域的专利文献中获取发展动态。采集1986年5月13日至2013年6月25日期间的国内银氧化锡电触头工业技术专利文献,建立专利数据库。通过可视化的方式,从专利申请量、专利分布、专利技术和专利持有人、专利技术生命周期等方面等角度深入分析了银氧化锡电触头材料制备领域专利的整体申请概况和主要申请机构等情况。通过研究发现关于银氧化锡电触头材料的专利技术周期包括快速增长期、成熟期和衰退期,缺乏专利的萌芽期,这可能与我国触头材料行业大多采用参照国外已有技术进行产品试制有关。     

SnO_2－SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究

采用溶液－凝胶浸渍涂布工艺在Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷管上制备了掺杂ＳｎＯ＿２气敏薄膜；利用高温热解法在ＳｎＯ＿２薄膜表面覆盖ＳｉＯ＿２气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性，结果表明：单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短；而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性，其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长，结合实验结果，从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。     

分光光度法测定Sb2O3含量

在酸性溶液中,Sb3＋可与KI-抗坏血酸发生灵敏的显色反应,生成稳定的黄色络合物.该显色反应具有良好的选择性和稳定性,且所生成的络合物在423 nm处存在最大吸收峰,可用分光度法进行Sb2O3的定量测定.试验发现,Sb2O3浓度在0～26 mg/L符合比耳定律,其回归方程为y=0.031 7x＋0.004 9,相关系数R2为0.999 8,相对标准偏差为0.05%～0.75%,加标回收率为99.40%～100.17%.该法简便、快速,准确、可靠,适用于大批量样品的检测.     

高灵敏度酒敏元件的研制

通过在不同比例纳米ZnO和纳米SnO2混合烧结粉体中掺杂贵金属催化剂的方法,研制了对低浓度酒精蒸气具有高灵敏度的酒敏元件.实验结果表明,在w(ZnO)=2%的SnO2复合敏感材料中掺杂贵金属Au可大幅度提高元件对低浓度酒精蒸气的灵敏度,并对同等浓度下的液化气具有较好的选择性.采用浸泡提拉法所制薄膜元件在响应恢复时间及抗温、湿度变化干扰方面,性能较厚膜元件有所提高.     

反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究

采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料，利用千瓦级CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试，对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明，采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒，制备AgSnO2电接触材料；用反应合成法制备的AgSnO2材料中，微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成；用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了银和SnO2的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。     

SnCl2—P2O5—SbCl3系的玻璃形成范围

人们一直在研究ＳｎＣｌ２－Ｐ２Ｏ５－ＳｂＣｌ３系的玻璃形成范围。玻璃在含ＳｂＣｌ３０－２０ｍｏｌ％的成分范围内获得，但是，有些玻璃中含有Ｓｂ黑色晶粒。玻璃中的Ｓｂ含量随着ＳｎＣｌ２含量的增加而降低。