PECVD法制备的SnOx气敏膜的色变机理

有用ＰＥＶＣＤ法制备了非晶掺Ｓｎ有机膜，经过退火处理得到ＳｎＯｘ气敏膜，考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系，研究了表面掺Ａｇ对ＳｎＯｘ元件电阻、     

电接触材料银氧化锡制备方法获得突破

在电接触材料中．银氧化镉材料具有优良的抗电弧侵蚀性、抗熔焊性和较低的接触电阻，广泛用于多种低压电器中。但在银氧化镉材料的生产、使用、回收的过程中都存在着“镉毒”污染问题。研制开发新一代无毒副作用、具有良好电接触性能的银金属氧化物电接触材料已成为亟待解决的问题。     

掺杂对纳米SnO2晶化及阻温特性的影响

研究了纯SnO_2及掺入5%at的Cu~( 2),Y~( 3),Si~( 4)的SnO_2纳米微粉晶粒尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢;600℃以后晶粒长大迅速.掺入Y~( 3),Si~( 4)可有效地抑制晶粒的长大,900℃退火2h晶粒尺寸仍小于30nm.晶粒尺寸下降可使电导温度峰往低温移动,当晶粒尺寸小于5nm时,电导峰出现在170℃附近,而掺杂可使电导温度峰展宽成平台.掺Si的纳米SnO_2,材料在200℃时对乙醇有较高的灵敏度和动态响应.     

水热法制备铁锡纳米复合氧化物及表征

以Fe(NO3)3·9H2O,SnCl4·5H2O为原料,通过改变水热反应的条件合成了铁锡纳米复合氧化物.用X射线衍射仪和透射电镜对产物的结构和微观形貌进行了表征.结果表明:在水热制备铁锡复合氧化物的过程中,通过分步控制温度法和使用不同的沉淀剂可以控制产物的粒径大小和形貌.最终得到以棒状的α-Fe2O3晶体为核,附着有SnO2粒子的纳米复合氧化物.并对复合物形成机理进行了初步探讨.     

原位聚合法制备纳米ATO/PMMA乙醇分散液的研究

将纳米掺锑二氧化锡(ATO)粒子经过超声分散和偶联剂处理后,以甲基丙烯酸甲酯(MMA)为单体,用原位聚合法制备了纳米ATO/PMMA乙醇分散液。讨论了偶联剂种类、MMA与ATO质量比值、引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)用量对纳米ATO/PMMA乙醇分散液分散稳定性的影响。确定了合适的偶联剂为乙烯基三叔丁基过氧硅烷(VTPS),最优工艺参数为m(MMA)∶m(ATO)=2,w(AIBN)=1.5%。往聚丙烯酸酯树脂加入该纳米ATO/PMMA乙醇分散液所制得的涂料,其涂膜同时具有良好的可见光透过率和近红外光阻隔性能。     

酯化反应合成丙烯酸双环戊烯基酯

以双环戊二烯、丙烯酸、水为原料,采用两步法合成丙烯酸双环戊二烯基酯。首先以硫酸为催化剂,双环戊二烯经过水合制得羟基双环戊烯,再以羟基双环戊烯和丙烯酸为原料经过酯化反应得到丙烯酸双环戊二烯基酯与传统的以双环戊二烯与丙烯酸为原料直接加成生成丙烯酸双环戊二烯基酯的工艺相比,减轻了后续的处理工作,提高了产品收率。酯化反应的优化条件为：n（丙烯酸）：n（羟基双环戊烯）为1．1、催化剂二丁基氧化锡用量2．5％（质量分数,以羟基双环戊烯质量为基准,下同）、阻聚剂对羟基苯甲醚用量0．1％、带水剂为50％（其中环己烷用量为20．0％、甲苯用量为30％）、反应温度为99℃,反应时间是4h。在此条件下合成的丙烯酸双环戊烯基酯的收率达92％以上,纯度达94．4％。     

喷雾热分解法制备掺杂SnO2电热薄膜及其电热性能

以SnCl4·5H2O,SbCl3和ZnO为原料,采用喷雾热分解法在石英和陶瓷基材上制得了阻温特性良好的掺杂的SnO2导电发热薄膜.用X射线衍射,扫描电镜对薄膜进行了结构表征.研究了Sb,Zn的不同掺杂浓度及热处理温度对薄膜电阻特性的影响.实验结果表明当三氯化锑和氧化锌掺量摩尔分数分别为8.2%和17%时,薄膜的方阻R□为32Ω/□.