珠江三角洲网河近20年河床演变特征分析

总结了20世纪80年代前珠江三角洲网河河床演变特征,并采用80年代和90年代末的河道地形图,通过对比珠江三角洲各主要河道的深泓线、平均河底高程以及河道容积、河床断面宽深比的变化,分析珠江三角洲80年代后的河床演变特征。对比分析结果表明珠江三角洲在不同时期呈现出不同的河床演变规律——20世纪80年代前以淤积为主,80年代至90年代末转变为以冲刷为主。     

双基地STAP在机载雷达中的应用

本文研究了双基地空时自适应处理(STAP)的性能，文中指出一般的双基地杂波环境具有不稳定性，这种不稳定性会阻碍STAP的实施。文中举例说明，如果不采取正确的措施，协方差估值误差所带来的信号干扰噪声比(SINR)损失可达30dB，但是如果使用了局域化STAP算法并结合时变加权处理，大部分性能损失还是可以挽回的。     

C^3I系统性效比分析研究

提出一种比较全面的C^3I系统效能的模拟分析方法，从战场态势的角度模拟分析C^3I系统通信网性能对兵力效能的影响程度，提出改进C^3I系统性能的对策。     

MRC分集接收的MQAM在Nakagami信道上的性能分析

Nakagami信道是一种适应性较强的信道模型，MQAM(M-ary quadrature amplitude modulation)是一种频谱利用率较高的调制方式。在存在多径影响的无线通信环境中，最大比合并(maximum ratio combining)方式的分集接收是克服衰落的有效方法。本文利用适用范围更广的Nakagami信道模型，在多径衰落的情况下对最大比合并分集接收的MQAM系统误符号率性能作了分析。仿真结果对分析实际信道下具体系统的性能具有一定的参考价值。     

清华比威网络选择IDT网络搜索引擎

清华紫光比威网络技术有限公司选择IDT75K62100网络搜索引擎(NSE),以加速中国首个支持下一代互联网协议IPv6的BitEngine12416核心路由器信息包处理。IDT NSE器件有助于核心路由器实现3.2Mbit/s的传输率,可使许多新出现的符合IPv6规范的应用实现高性能通信。IDT75K62100NSE为网络带来许多性能和设计优势。利用从2～18Mbit密度的引脚兼容特性,网络可使用一种支持多个NSE配置的设计。该器件也支持动态数据库管理,具有选择要搜索的特定应用数据库的能力,并可降低功耗70%。x36-x576可同时支持IPv4和IPv6转发和策略查找。IDT提供…     

复杂目标的近场散射特性分析

详细分析了目标散射随距离而变化的特征，根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况，并对三种情况下的描述的手段进行了讨论，提出在近场条件下，用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

减小多载波信号PAPR的一种简单方法

文章针对等幅且各子载波等频率间隔的多载波信号,从瞬时包络功率出发,采用代数方法推导了一种降低峰 值平均功率比(PAPR)的新的相位方案。此外,还通过数值计算对峰值包络功率的减小作用进行了验证。数值结果表明采用 这种新的相位方案得到的PAPR不大于3.01dB(子载波数在300以内),且随着子载波数的增大而接近2.65dB。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。