DS1620实现的X射线采集板温度自动控制

DR是目前非常先进的X射线成像技术，将其X射线采集板工作温度控制在最佳工作范围可采集更好的图像。本系统采用PC和单独控制双模块分别控制温度，利用半导体传感器DS1620进行四路温度采集，通过单片机和PC串口通信，用PC通过半导体制冷芯片来控制X射线采集板的工作温度，在通信故障时也可以通过单独控制模块来控制采集板的温度。     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。     

702型光电自准直仪用于X射线吸收谱的测量

702型光电自准直仪主要用于精密机械的直线度、平面度和小角度等参数的静态测量。本文作者经过多年研究,将该仪器用在 X 射线吸收谱仪之中,实现了自动跟踪的多点动态测量。     

软X射线对血液有形成分表面电荷的影响——2、淋巴细胞和血小板膜电荷的变化

软X射线不仅能引起红细胞表面电荷的变化,同时也能导致淋巴细胞和血小板表面电荷下降,表现为照射后它们的电泳率下降。低剂量范围内,这种电荷的变化是暂时性的,照后4小时降到最低点,24小时后恢复到对照的水平。细胞电泳率的下降与辐射剂量相关。淋巴细胞是一个复杂的细胞群,正常状态下,按细胞在电场中泳动速度的快慢,可分为两个组分:快峰为T细胞,慢峰为B细胞。软X射线照射以后,T和B细胞的电泳率皆减慢,频数分布峰值下降,离散度加大。血小板成分单一,电泳率较一致。 从照射浓集的血小板再加回自身血浆中电泳率的下降较照射血浆再加到血小板中的电泳率下降大得多;受照射的血小板在磷酸缓冲液中电泳率下降较在血浆悬液中严重得多;2000 rad照后,悬浮于血浆中的血小板电泳率能恢复,而悬浮于磷酸缓冲液中则不能恢复,三个方面来看,血浆中可能存在抗辐射因子。超氧化物岐化酶能有效地预防血小板电泳率的下降,从而可阻止血小板的凝聚。     

X射线底片数字化存储管理及发展前景

X射线底片数字化存储基本原理是运用计算机技术将底片作为景物图像经扫描器扫描，经数字化进行图像处理，把底片负象转变成数字信号，数字信号经计算机转换成光学图像在显示器上显示，进而存入磁盘或转录到磁带上作永久存储，系统软件构成主要由6个模块组成，底片的存储主要有以下特点：（1）存储无失真，可以任意复制，便于交流；（2）系统操作简单，观察更清晰，更全面，更准确。（3）节省大量的存储空间，科学地分类管理使查阅更快捷，更准确。（4）系统采用了精确的稳定控制技术，具有很高的稳定性和精确性，现代计算机技术和网络技术的进步将极大地促进底片数字化存储管理系统的广泛应用和迅速发展，另外，底片数字化存储系统的开发应用将促进无损检测缺陷智能的实现。     

钨酸根抑制不绣刚局部腐蚀的机理

用X射线光电子能谱(XPS)研究了AISI304不锈钢在含WO2-4+Cl-的模拟闭塞电池中形成钝化膜的组成与结构及WO2-4抑制其局部腐蚀的机理.研究表明,闭塞区内AISI304不锈钢表面的钝化膜的外层主要为WO2-4、CrO3、CrCl3、FeCl2和FeCl3,此外,还有少量的Ni2O3、Fe2O3、CrO2-4、γ-FeOOH以及Fe(OH)3;溅射5 min时膜内层主要为Cr2O3、CrOOH、Cr(OH)3、FeCl2、FeCl3和WO3,还有少量的WO2和WO2-4.WO2-4对钝化膜的影响在于WO2-4迁入闭塞区后吸附在金属表面,可全部或部分取代吸附在钢表面的Cl-,并与腐蚀产物Fe2+发生氧化还原反应生成Fe3+和WO2,WO2-4与Fe2+、Fe3+反应生成难溶化合物FeWO4和Fe2(WO4)3覆盖在阳极上,形成较耐蚀的保护膜,降低闭塞区内自催化效应速度,从而抑制局部腐蚀的进一步发展.     

自由电子激光的新进展

1 向X射线激光器迈进2000年2月在汉堡市DESY实验室超导TESLA试验装置（TTF）工作的国际研究小组创造了自由电子激光最短波长记录。从9个国家38个院所来的140名学者取得的成就是获得波长109nm的远紫外辐射振荡。以前使用同类自放大自发辐射自由电子激光器（SASE FEL)取得的最佳结果是波长530nm。后来经过数个星期的艰辛工作，又将波长降低至80nm（图1）[1]。为了取得这项成果，研究组运用了TTF的超导直线加速器的电子束。为了能在～６nm软X射线区工作，目前正对该装置做进一步的完善，可望于2003年准备就绪。该装置的建成为实现主…     

X射线光电子能谱(XPS)

在对许多材料的研究和应用中,了解其表面特性是很重要的。而要获得材料的表面特性,就需要一些特殊的仪器,对各种材料从成分和结构上进行表面表征。其中,X射线光电子能谱(XPS)由于其对材料表面化学特性的高度识别能力,成为材料表面分析的一种重要技术手段。 X射线光电子能谱的基本原理(图1)是当一束特定能量的X射线辐照样品,在样品表面发生光电效应,就会产生与被测元素内层电子能级有关的具有特征能量的光电子,对这些光电子的能量分布进行分析,便得到光电子能谱图。XPS起始于发现光电效应之后不久,1914年Rutherford即成功地表述了XPS的基本方程:     

同位素中子源活化瞬发分析装置

一、基本原理自六十年代中期以来,中子活化瞬发γ射线元素分析技术(PNAA)得到人们广泛重视。与通常的中子活化分析(NAA)技术相比,它分析的是样品中的主要成分,若用同位素中子源,还可进行实时在线连续测定及现场分析。PNAA技术是用热中子与待测元素发生中子俘获反应,处于激发态的产物核在瞬间