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991.
SiC thin-films were prepared by RF-magnetron sputtering technique(RMS) with the target of single crystalline SiC and then annealed. The surface morphology of thin-films was characterized by AFM. The result shows that the surface of the thin-films is smooth and compact; XRD analysis reveals that the thin-films are amorphous. The thickness, square-resistance and curves of resistance—temperature were measured. The results show that the curves of lnR versus 1/kT both before and after annealing satisfy the expression of lnR∝△W/kT, where ?W is electron excitation energy in the range of 0.014 2-0.018 5 eV, and it has a trend of increasing when the temperature is increased. After synthetical analysis we get the conclusion that the electronic mechanism of the thin-films is short distance transition between the localized states in the temperature range of 25-250 ℃. The resistivity is in the range of 2.4×10-3-4.4×10-3 Ω·cm and it has the same trend as electron excitation energy when annealing temperature is increased, which further confirms the electronic mechanism of thin-films and the trend of electron excitation energy versus annealing temperature. 相似文献
992.
993.
994.
针对轴流式通风机调速节能的问题 ,从通风机全压方程入手 ,利用最优控制原理 ,推导出了调速控制的轴流式通风机最小能耗运行条件 ,为此类通风机调速节能运行提供了理论依据 相似文献
995.
996.
997.
998.
ENERGYMANAGEMENTANDCONTROLTECHNOLOGYINTHENONFERROUSMETALSINDUSTRYENERGYMANAGEMENTANDCONTROLTECHNOLOGYINTHENONFERROUSMETALSIND... 相似文献
999.
将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux^3+(发光峰丰峰位置为615nm,对应Eu^5D0→^7F2电子跃迁)的激活剂掺杂晕优化。获得如下的研究结果:在紫外激发T(254nm)Gd1-xAlO3:Eux^3+材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发光强度(n(Pr):n(Eu)〈1:10)。光谱分析表明:Pr,Eu间卢子支持的共振能量传递,是Pr降低Gd1-xAlO3:Eux^3+(简写为:GAP:Eu)发光强度的丰要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂萤优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。 相似文献
1000.
TiNi和TiNiCu记忆合金可逆应变能与温度的经验关系 总被引:1,自引:0,他引:1
在实验基础上研究了Ti_(50)Ni_(50),Ti_(50)Ni_(45)Cu_2)和Ti_(50)Ni_(45)Cu_5的可逆形状记忆效应,得到可逆应变能U_r与温度的经验关系: U_r=U_0[1-exp(-mT_R~N)] 式中,n是形状一温度敏感指数,m是与材料特性有关的常数.移植Johnson-Mehl-Avrami描述相变-时间关系的唯象方法,得到与可逆形状记忆效应相伴随的热弹性马氏体相变与温度的半定量关系,且与上述经验关系对应. 相似文献