SyncFlash存储器在ARM嵌入式系统中的应用

本文在简要介绍SyncFlash（同步Flash）存储器的基础上，着重叙述了SyncFlash在基于ARM体系微处理器的嵌入式系统中的应用，并介绍了采用SyncFlash设计嵌入系统的优势。     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

FCI公司144位水平型存储器插座

FCI公司开发出了一种适用于16位和32位小型双列直插存储器模块（SO—DIMM）组件的144位0．8mm间距水平型插座。这种10062086系列插座高5．2mm，并且在主板顶部表面与安装的模块之间提供3．3mm的空隙。这种连接器适用于通讯设备和外设如，中档打印机和复印机。这种连接器的两端设置了固定卡夹机构，起到了机械制动作用，据称可以避免存储器模块在安装过程中过度转动，并且防止模块插入或拔出过程中，柔性棘爪过度伸直。这种插座采用了机械性的电压调节方法来区分配接2．5V DDR或1．8V DDR2存储器模块组件的不同版本。     

一种单片机控制的指令转换器的设计

采用89C51单片机，串口扩展芯片8251、中断扩展芯片8259等器件设计了一种指令格式转换器。     

钛酸锶钡薄膜的电子显微研究

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶ＳｉＯ2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的ＳｉＯ2 ,也就是通过提高电介质的介…     

字库文件的分解与实现

提出一种制取电子显示屏中的１６×１６点阵自备字库的软件和硬件的方法，所制成的字库符合要求，效果良好。     

计算机中的新技术—Flash Memory

本文从工作机理、性能特点及应用领域等几方面详细介绍９０年代初在计算机领域中出现的新产物──ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ。     

软磁盘零磁道修复法

软磁盘是计算机中使用最为广泛的存储介质,它们尺寸合宜,价格低廉,在一定条件下相当可靠。但是由于操作不慎或保存不善、软盘本身质量不佳以及软盘驱动器工作不正常等原因,软盘常有故障出现。 软盘故障中最为严重的恐怕要数零磁道损坏了。因为磁道存放着引导记录、FAT表(文件地址分配表)以及介绍几种切实可行的修复方法: