分子磁体研究

分子磁体是指通过有机、有机金属、配位化学和高分子化学方法在低温下合成的磁性材料。以所研究的配合物为例阐述分子磁体方面的一些进展。对一些合成的顺,反式-三唑铁(Ⅱ)衍生物(T_c～250K)的研究表明,配体的定位对结果影响很大。作为信息记录材料,除了自旋突变外、还希望滞后效应。基于对自旋转换配合物的介稳态进行了快速和磁诱导的协同效应研究。通过合成的几个典型氰基桥联配合物,研究在低于居里温度下的磁学性质,例如铁磁性和磁滞回线,交流磁化率虚部对温度的依赖性,零场冷却(ZFC)和场冷却(FC)时磁阻塞温度,以阐明它们的单分子磁体特性。展望了自旋电子学,手性磁体等这类和材料科学、合成化学、凝聚态物理进一步结合的跨分支学科,必将在不久的将来取得重要的突破。     

裂隙岩体边坡稳定性的渗流与应力耦合分析

用裂隙岩体渗流与应力耦合分析的四自由度全耦合法对岩质边坡进行耦合分析,通过强度折减有限元法求解岩体边坡的稳定安全系数。四自由度全耦合法建立了同时以渗流水压和位移为未知量的耦合方程组,使得渗流场与应力场的求解能够一次性完成,与两场交叉迭代分析方法相比达到了彻底的完全耦合。通过强度折减,整个系统达到不稳定状态,有限元计算将不收敛,此时的折减系数就是安全系数。算例表明由此求得的边坡稳定安全系数和滑动面都与传统方法十分接近。     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

微波立体平面电路谐振器与耦合谐振器的设计

本文根据立体平面电路的短路终端理论，用优化方法，在给定矩形波导尺寸ａ和ｂ，立体平面电路谐振器间的耦合系数ｋ，谐振频率ｆ与平面电路金属片厚度ｔ的情况下，设计出谐振器的其它尺寸。对设计的样品进行测试，其长度与谐振频率（ｌ－ｆ）曲线及耦合系数与耦合宽度（ｋ－Ｗ）曲线的实验值与设计值基本一致。     

LD激光与单模光纤耦合时的失准容忍度分析

本文导出了ＬＤ激光与带端面微透镜的单模光纤直接（ＳＭＦ）耦合时的失准容忍不容量－失准容忍面积，并指出横向与角向的中心失准容忍度分别与ＬＤ的模斑尺寸，ＳＭＦ模斑对应的远场发散角成正比，而横向和角向的最大失准容忍量却分别与ＳＭＦ的模斑尺寸，ＬＤ的远场发射角成正比，最大失准容忍量是中心失准容忍量的Ｋ倍。     

组件化松耦企业应用集成关键技术研究

传统的软件开发模式和系统集成方法造成了企业数据孤岛和紧密耦合局面，严重阻碍企业信息化的进程，文中提出基于XML建立了产品数据共享统一模型，遵守组件软件开发规范，应用中间件技术封装企业旧系统，基于WebServices进行新系统开发，从而建立组件化松耦合企业应用集成框架。     

矩形介质波导阵列的一种新型分析方法

本文将等效介电常数近似分析方法在应用范围和处理方法上进行了一些改进．发展为双等效介电常数近似分析法，然后用它来分析矩形介质波导阵列．推得两个一维周期的耦合特征方程。如果将Macatili方法应用范围扩展用来研究该波导阵列也会得到同样的结果，它们都能在二维平面上较准确地反应出通带和阻带等主要周期特性。     

地下水热量运移模拟的BEM-FAM耦合法

基于地下水热量运移的基本原理，本文提出了求解地下水热量运移问题的BEM-FAM耦合法。该方法原理简单，操作方便；不仅可以直接计算出地下水流速度，而且避免了对流扩散方程数值解中的数值弥散和数值振荡，提高了计算精度。应用本文提出的方法对溪洛渡水电站工程地下水热量运移问题进行了模拟，计算结果与地质分析的结论一致，表明该方法是可行的。     

高温单模工作的1.3μm应变MQW增益耦合DFB激光器

１．３μｍ应变ＭＱＷ增益耦合的ＤＦＢ激光器，在温度高达１２０℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应，使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率，从而使激射波长保持了稳定，通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐，使阀值电流受温度的影响很小，这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内（取决于失谐值），能实现无限特性温度Ｔ０。     

弹性杆与水下壳体接触冲击的冲击力计算研究

对弹性杆与水下壳体接触冲击问题进行了研究，用有限元法模拟壳体，边界无法模拟无限域流体，通过温面上的耦合条件进行联立求解，文中给出了典型算例，并进行了有关讨论。