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  1959年   1篇
  1951年   6篇
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61.
将马来酸酐直接与天然橡胶混炼,得到的马来酸酐-天然橡胶接枝物既能与聚酰胺6短纤维也能与天然橡胶形成良好的结合,有助于提高短纤维增强橡胶复合材料的物理机械性能。  相似文献   
62.
碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(UId),发射电流密度、总电流与发射面积成正比:对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0,ks=1,d≥r的情况,ks接近于常数。对于10〈d/r〈100的情况,存在一个经验的表达式:ks=1+0.15d/s=0.005(d/r)^2。在引入ks后,不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述:I=a(E-Eo)^b,a,b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。  相似文献   
63.
金属基复合材料的高应变速率超塑性   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述并评论了金属基复合材料的高应变速率超塑变形机制,描述了金属基复合材料在高应变速率超塑变形中的一些理化现象,说明了变形过程中的各种影响因素,总结了具有高应变速率超塑性能的金属基复合材料及其性能,并指出了在金属基复合材料的高应变速率超塑性研究方面的不足。  相似文献   
64.
WC/Cu复合材料制备及其高温性能   总被引:11,自引:0,他引:11  
用机械合金化法结合冷变形,制备了WC/Cu复合材料,研究了冷变形后复合材料的组织特征和高温退火时韵性能变化。结果表明:烧结后的材料经冷变形,组织呈显著纤维状,WC颗粒弥散分布,密度明显提高,达到理论密度的99.2%;复合材料经600~900℃高温退火,强度和硬度略有下降,塑性则有大幅提高;900℃退火时未发生明显的再结晶,界面结合良好;所制备的WC/Cu复合材料有优良的综合性能。  相似文献   
65.
T-ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的力学行为   总被引:10,自引:0,他引:10  
研究了以四脚状氧化锌(T-ZnO)晶须为增强剂,环氧树脂复合材料的力学行为。结果表明,由具有三维空间结构的T-ZnO晶须为增强剂所制备的环氧树脂复合材料具有各向同性的力学性能,T-ZnO晶须填加质量分数为6%时,就可使材料的力学性能改善;拉伸强度提高到169%,拉伸功几乎提高了100%,冲击强度提高到300%,抗弯的断裂功提高到158%,而压缩强度略有下降。  相似文献   
66.
复合材料管状结构的能量吸收性能   总被引:6,自引:0,他引:6  
王熙  卢国兴  余同希 《工程力学》2003,20(3):155-160
复合材料结构作为防撞结构的能量吸收元件,已经逐步得到工程领域的广泛认同。复合材料结构的能量吸收能力是一种特殊要求的力学性能,它的研究目标和研究手段有其独特之处。综述了近年来复合材料管状结构能量吸收性能研究的最新进展,以及有待进一步研究的问题。  相似文献   
67.
采用多环过盈装配是解决复合材料飞轮径向强度过低的有效途径之一。本文作者采用平面应力简化模型,提出了计及过盈配合后变形导致实际过盈量增大计算飞轮套装后的初终应力分布的方法;提出了基于叠加原理计算多环过盈装配旋转飞轮应力的方法;提出了保证飞轮旋转时配合界面不脱离的相关临界转速的概念和计算方法。算例分析表明:过盈配合后的变形对初终应力的影响不能忽略;过盈量和套装环数与飞轮的初终应力和相关临界转速有密切的关系。  相似文献   
68.
长纤维增强热塑性塑料 (LFRT)成为热塑性塑料市场增长最快的品种 ,因其重量轻、价廉、易于回收重复利用 ,在汽车工业中获得较多应用。大部分长纤维增强热塑性塑料 (LFRT)使用玻璃纤维 ,特殊应用时也可将碳纤维、钢纤维掺混入热塑性塑料中。大多数常用的树脂材料是聚丙烯 (PP)和尼龙 ,也有一些采用聚碳酸酯、ABS、聚酯、热塑性聚氨酯或聚苯硫醚。在喷模部件中 ,短纤维增强的热塑性塑料纤维长度约 0 .3mm ,而在LFRT部件中 ,纤维长达 3mm以上。LFRT应用最多的是汽车 ,2 0 0 1年全球LFRT市场约为 6万吨 ,年增长率 30 %。预计今后几年…  相似文献   
69.
《中国集成电路》2004,(4):36-40
虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作,但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展,更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。  相似文献   
70.
PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究   总被引:9,自引:3,他引:6  
在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。  相似文献   
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