液晶基元直接横挂于主链上的液晶共聚物的合成与研究

以含液晶基元的单体２，５－双（４－甲氧基苯甲酰氧基）苯乙与苯乙烯通过自由基共聚合反应，首次合成了一系列含液晶性和非液晶性两种序列结构的共聚物。采用ＤＳＣ、偏光显微镜和Ｘ衍射方法研究了共聚物的液晶行为，发现单体和共聚物（只有ＣＰ－５和ＣＰ－６）有很好的热致液晶性。随共聚物中介晶单体单元含量的增加，共聚物玻璃化转变温度Ｔ和热分解温度Ｔ呈规律变化。     

退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.     

2万t/a离子膜片碱装置试车运行总结

详细介绍了2万t／a离子膜片碱装置试车过程，对试车中出现的问题提出了解决措施。     

F—离子微酸性介质中Ge—ZSM—5型分子筛的合成

在F~-离子存在的微酸性介质中合成了Ge-ZSM-5型分子筛,并对合成的影响因素及样品结构进行了研究.结果表明,Ge对骨架中的Si产生了同晶取代。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

K2NbOf5—MF3系玻璃的结构及电性质

研制了Ｋ２ＮｂＯＦ５－ＭＦ３（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ）新体系氟化物玻璃，测定了玻璃的特征温度、Ｒａｍａｎ光谱和电导率，玻璃中Ｎｂ＾５＋、Ａｌ＾３＋、Ｇａ＾３＋分别以ＮｂＯＦ＾２５、ＡｌＦ３＾５、ＧａＦ３６八面体形式存在，玻璃的电导率随ＡｌＦ３含量的增加而增加，当ＡｌＦ２含量达到３０ｍｏｌ％时，Ａｌ＾３＋除ＡｌＦ＾３６八面体外，还有ＡｌＦ４四面体结构出现，同时电导率降低，Ｆ阴离子是主要的导电离子，７５Ｋ２Ｎ     

浅谈离子膜法电解整流装置的配置

离子膜电槽由于膜的特性和面积,电槽的结构,单元数量及组合方式等不同,其设计电流密度和运行直流电流亦不同。因此,在生产规模一定的条件下,槽型不同,电解回路数以及运行直流电压,直流电流各不相同。与此相关的整流装置参数也不相同。离子膜电槽总体上可分成单极式和复     

熔盐电解法生产铅-锶合金的研究

测量了SrCl_2—KCl—SrF_2熔度图,研究了熔盐电解法生产Pb—Sr合金中Sr的浓度和电流效率。在此基础上给出了工业电解槽设计的工艺函数图。     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

固溶体的精细结构和有关新材料的开发

固溶体的精细结构及对材料物理、化学性质的影响是固态化学领域里的一个新课题。以Ｂｉ２Ｏ３为主的二元金属氧化物固溶体为例，阐述了其中精细结构的形成及其对材料性质的影响的影响，讨论了几种新材料的开发前景。