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测温元件——热电偶热的电势大小仅和两金属的材料及两结合点的温度有关.鉴于此因素.适当的维护和维修可延长其使用寿命,减少生产成本。针对不同测量系统和不同工艺要求,介绍了四种水泥企业最常用的热电偶以及安装热电偶时所需注意事项。根据生产实践,重点介绍了热电偶的常见故障及其维护与维修方法。 相似文献
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Synthesis and Microstructure of Highly Oriented Lead Titanate Thin Films Prepared by a Sol-Gel Method 总被引:1,自引:0,他引:1
Chiahong Chen Daniel F. Ryder Jr. William A. Spurgeon 《Journal of the American Ceramic Society》1989,72(8):1495-1498
Thin films of PbTiO3 were deposited on fused silica, resistor-grade alumina, and single-crystal (100) MgO by a sol–gel processing method. Whereas the films deposited on silica and alumina substrates were randomly oriented and polycrystalline, highly {100} oriented PbTiO3 films were grown on the MgO single crystals. The perovskite-type structure was observed with films deposited on the single-crystal MgO and annealed at temperatures as low as 470°C, whereas a pyrochlore-type strcuture was observed with films on fused silica and alumina processed in a similar manner. All films heat-treated at temperatures in excess of 570°C showed significant formation of a second PbTi3 O7 phase. The films were characterized by electron microscopy and glancing-incidence-angle X-ray diffraction. 相似文献
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掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3,PT)超细粉末,分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明:这种粉末在约600℃热处理温度下,由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成,其晶粒平均尺寸约为18nm,比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中,Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置,产生阳离子空位,诱发晶格畸变,使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外,掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c/a比未掺Tb^3 的PT中的低,这类似于产生了赝立方结构,降低了从立方相向这种四方相转化的势垒,有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生,使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。 相似文献
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巯基乙酸稳定的CdSe/ZnS核壳结构量子点的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
用非均相成核原理,在水溶液中制备CdSe/ZnS核壳结构量子点,并研究合成工艺,包括前驱物的滴加方式和用量、CdSe核的水浴反应时间、CdSe与ZnS的摩尔比等因素对CdSe/ZnS核壳结构量子点荧光性能的影响.用透射电子显微镜和x射线衍射仪测试核壳结构量子点的形貌和结构.用紫外吸收光谱与荧光光谱表征CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能.结果表明:ZnS壳层在CdSe核量子点表面外延生长,形成了核壳结构;CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能明显高于单一的CdSe量子点;合成的工艺条件会显著影响CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能. 相似文献
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压电陶瓷变压器材料PMMN-PZT的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响。最后制得了性能较好的PMMN -PZT压电陶瓷材料 ,其Kp=0 .5 18,Qm=3887,tanδ =0 .71% ,εT3 3 /ε0 =70 1,d3 3 =2 0 3,基本上能满足压电变压器的要求 相似文献
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液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3~ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0~ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构 相似文献