SnO_2纳米空心球的合成及在锂离子电池正极方面的应用(英文)

采用锡盐溶液浸渍-煅烧锯末法,制备了SnO2纳米空心球.分别用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及恒流充放电技术对产品的结构形态和电化学性质进行了表征.结果表明,SnO2空心球的尺寸在50～120nm之间,壳层厚度约为5nm.在作为锂离子电池正极使用时,初始放电容量为607.7 mAh g-1.     

纳米TiO2-SnO2复合光催化剂的制备和表征

摘要：以SnCl4-5H2O、Ti(SO4)2为原料,采用活性层包覆法,制备出TiO2-SnO2复合光催化剂,并用XRD、XPS、TEM、BET等手段对样品进行了表征。结果表明,所制TiO2-SnO2复合光催化剂样品为球形颗粒,由锐钛矿型TiO2和金红石型SnO2组成,粒径在10nm左右。     

掺杂对SnO_2薄膜性能影响研究

ＳｎＯ２薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视。本文就各种掺杂对ＳｎＯ２薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

聚漆酚／无机物杂化材料的研究—Ⅰ．聚漆酚—SnO2杂化材料的合成与特性

先由漆酚和四氯化锡合成非螯合型漆酚锡聚合物,然后采用水解法由该聚合物与NaOH水溶液制得聚合漆酚－SnO2杂化材料。SEMF显示SnO2以针状晶体分散在聚合漆酚基体中,杂化膜具有半导性和优良的热稳定性。     

分子筛封装SnO2纳米粒子的光谱特性及量子尺寸效应

采用气相沉积法制得分子筛封装ＳｎＯ２纳米粒子,通过ＸＲＤ,ＵＶ－Ｖｉｓ、ＦＳ等手段对制备的样品进行了表征,封装在分子筛内部的ＳｎＯ２团簇的发射光谱中,不存在与吸收带边相对应的发射,其发光类型不属于电子－空穴复合发光,而归结构缺陷发光,复合材料表现出显著的量子尺寸效应。     

高效抑制锡粗化显著增强二氧化锡储锂反应可逆性的物理屏障策略

二氧化锡(SnO₂)是一种有理想应用前景的锂离子电池(LIBs)新型高容量负极材料,理论储锂为1 494 mAh·g^-1,是商用石墨负极的4倍。然而,循环过程中Sn纳米颗粒的持续粗化会导致常规结构SnO₂电极储锂反应可逆性衰减,成为其关键失效机制。提出了一种构筑物理屏障高效抑制Sn粗化以显著增强SnO₂储锂反应可逆性提升电池性能的可行性策略,即将SnO₂纳米颗粒均匀封装在碳基质材料、导电聚合物或无机材料等物理屏障中,有力地防止包裹的SnO₂纳米颗粒间的Sn相粗化,增强合金化-去合金化和转化反应活性,提升电池循环稳定性和倍率性能。     

Zr掺杂的SnO_2瓷的压敏和介电性质

目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小。SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。     

二氧化锡吸附法分离~(95)Zr和~(95)Nb的研究

随着科学技术及同位素应用的发展,对纯~(95)Zr和~(95)Nb指示剂的需求越来越迫切。从裂变产物~(95)Zr-~(95)Nb平衡体系中分离~(95)Zr和~(95)Nb的方法很多,其中吸附法具有吸附剂来源方便、操作简单、产物纯净等优点而受到人们的重视。特别是硅胶吸附法分离~(95)Zr和~(95)Zb更是不少研究工作者的课题,但是这方面的基础研究工作如关于~(95)Nb的行为和