车载式全固态发射机结构与热设计

全固态发射机功耗大、产生的热量高,安装于方舱内时因空间狭小、设备密集导致各组件和机柜温度不均匀、冷却效果差。文中通过对功率放大单元总功耗的核算,采取功放模块和稳压电源模块的散热器上下并排安装、风道共用的由前至后、左右双风机抽风的风冷散热方式,设计了末级高功放的微波功率管和开关电源的调整管等发热器件直接镶嵌在经过铣槽抛光的铝质散热器内的结构形式。经过对结果的核算,验证了该热设计的合理性,对于高密度固态发射机结构总体方案的设计和工程实践具有借鉴意义。     

X波段400 W GaN内匹配功率管北大核心CSCD

报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。     

基于IR2110芯片加固型的驱动电路

在功率管驱动芯片电路中,当驱动信号达到芯片工作频率上限或大负载情况亦或芯片受到强干扰时,常出现芯片工作状态不稳定甚至烧毁的现象。由此暴露出驱动芯片驱动电流较小、带负载能力较弱和抗干扰能力不强的问题。利用在驱动芯片输入端连接死区可调的7414反相器,在输出端连接功率推挽电路,并且在整个电源系统中采用两级π型滤波对电源进行加固,滤除由电源产生或通过其传播的干扰,增强电源完整性。基于此设计一种加固型的驱动电路,能有效提高驱动电流,提升负载能力和抗干扰能力。以中小功率驱动芯片IR2110为例具体阐述。     

基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT

报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。     

1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。     

RCA6080全差分式功率放大器

RCA6080为双三极功率电子管,该管特性与6AS7、6N5P、6082等双三极功率管相近,具有内阻低、放大线性好的特点。由6080双三极功率管组成的双声道全差分式功率放大器性能卓越、频响宽阔,音质清澄通透,高低音清晰,音乐味浓,动听悦耳。     

2A3／45交替式功率放大器

2A3和45均为古典型直热式三极功率电子管,其特性相近、外形相似、管座相同,但这两种功率电子管的音色各有千秋。采用2A3和45三极功率管可制成双声道单端A类交替式功率放大器。2A3功率管的音色美艳亮丽,胆韵醇厚,悦耳迷人。45功率管的音色纤细清秀,芳醇素雅,透明清澈。采用两管可交替方式制成的功放能使聆听者体验到两种不同的音乐境界。     

音质令人惊喜的迷你Hi-Fi JRing(君聆) JMA系列迷你音响

JRing是一个很有特色的Hi-Fi音响品牌。它之所以有特色,是因为它所生产的音响外形都非常迷你,但产品的定位又不像一般的时尚迷你音响,而是向发烧音响的方向看齐。本文要介绍的JMA则是JRing第-款主打的放大器。JMA迷你音响由PA10前级搭配A70后级组合而成。虽然这两款产品的体积不大,但设计上都符合发烧音响的设计原则。     

一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .     

一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的RF功率器件结构-梳状基区结构.在不增加本征集电结面积的情况下,该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性,增大器件的耗散功率和输出功率,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾.模拟分析表明,采用该结构,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的90%以上,器件的大电流特性和频率特性也有所改进.采用该技术制作的试验样管DCT375同传统结构器件相比,其热电特性得到显著的改善.这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径.