SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

MMDS与HFC的比较分析

分别介绍了MMDS与HFC系统，通过对MMDS与HFC的比较分析，确立HFC在CATV系统中的主体地位，同时也肯定了MMDS系统在某些地区的不可替代作用和独特的五大优点。     

HUBER＋SUHNER推出QN和QMA系列快锁连接器

HUBER＋SUHNER推出了可应用于3G的新型快速连接器QN和QMA系列，该系列连接器符合新的QLF标准，便于快速、灵活地安装，其广泛应用于射频，微波和数据通信领域，在为客户控制总成本上有着独到的优势。     

2010年中国半导体规模将达121亿美元

据外电报道，尽管中国政府一直在扶植国内的集成电路设计和制造商，但对于中国每年400多亿美元的半导体需求市场，80％的需求还是由英特尔和AMD等国际厂商所提供。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

丙二酸亚异丙酯的单取代Mannich碱的制备

研究了丙二酸亚异丙酯与苯甲醛、脂肪族胺的单取代曼尼希反应。通过对曼尼希碱的IR、NMR及元素分析表征了其结构，反应遵循Hellmman规律，生成的曼尼希碱主要以内盐式存在。     

IR单片荧光灯镇流控制器

国际整流器公司（IR）推出IR2167单片荧光灯镇流器，它具备有源，临界传导模式的升压型功率因数校正（PFC）方法，其大功率因数更可提高电力设备效率。IR2167控制整个电子镇流器并结合照明控制，功率因数校正和一个600V半桥驱动器。该镇流器的功能包括控制预热，点亮和驱动荧光灯，