一种高精度RC振荡器的设计

提出了一种基于CSMC 0.25μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响。增加修调电容,补偿工艺偏差对精度的影响,实现高精度的振荡输出。采用Spectre对电路进行温度扫描和电压变化仿真,结果表明在宽温度范围(-55～125℃)和宽电源电压范围(2.7～5.5 V)得到了非常稳定的振荡输出,受温度影响的频偏最大为1%,受电源电压变化的频偏仅为0.26%,适合电源管理芯片应用。     

3.705 μm紧凑型光参量振荡器

报道了一种基于工程应用的3.705 μm紧凑型高稳定性光参量振荡器。采用半导体制冷、强制气体对流冷却和热管导热技术相结合的方式,对主振荡功率放大结构的掺Yb光纤泵浦模块泵浦过程中产生的废热进行有效管理,再将经过耦合后的泵浦光注入到使用温控炉精确控温的PPMgLN晶体,在重复频率为55.56 kHz时,获得了功率不稳定度优于1.5%的1.78 W,脉冲宽度120 ns,峰值波长3.705 μm的线偏中红外激光输出,光光转换效率为12.6%。     

FXO-HC33：HCMOS振荡器

Fox Electronics公司推出扩展了温度范围的3．3VHCMOS振荡器型款。新振荡器是FXO-HC33系列的一部分，     

高精度PXI频率参考模块

M9300A高精度PXIe频率参考模块可为高性能射频系统生成纯净的10MHz和100MHz信号，非常适用于需要低相位噪声的应用，作为100MHz本地振荡器，例如应用在许多无线和航空航天／国防测试系统中。     

一种宽调节范围的CMOS二级压控振荡器设计

采用数模混合控制负载,引入源极负反馈电阻和交叉耦合结构,设计了一种可以应用于连续频带时钟数据恢复电路的二级环形振荡器(two-stage VCO),设计具有宽工作频率范围、高工作频率、低相位噪声的性能特点.采用TSMC 0.25μm N-阱CMOS工艺参数对所设计的VCO进行了仿真,仿真结果显示在VCO增益(Kvco)保持在300MHz/V左右的情况下,得到了200MHz～1.85GHz的调节范围.     

基于FPGA的宽带数字频率综合器的实现

随着软件无线电技术的应用,为了在现场可编程门阵列(FPGA)内灵活的实现超外差宽带数字接收机,本文提出了一种基于FPGA的宽带数字频率综合器的实现方法,可以在宽带高模数转换(AD)采样频率范围内,利用宽带数字频率综合器产生的频率与基于多相滤波的数字下变频相结合,完成需要频点的零中频正交变换,便于宽带数字接收机高灵敏度电子侦察检测.     

水力振荡器在川渝地区水平井的应用

川渝地区地质结构复杂,在水平井施工过程中出现严重的托压、粘卡现象,尤其在滑动钻进过程中,无法保证给钻头施加真实、有效的钻压。水力振荡器可以使常规的钻具组合克服定向钻进过程中遇到的常见问题。为此,介绍了水力振荡器的结构及工作原理,并在在长宁H2-1井、高石12井施工过程中应用了水力振荡器。应用效果分析表明,水力振荡器在水平井中把单纯的机械式加压改为机械与液力相结合的加压方式,为钻头提供了有效、真实的钻压,改善井下钻压传递效果,明显降低摩阻,提高机械钻速,缩短钻井周期。     

CMOS低相位噪声频率合成器设计

基于工业自动化无线网络的需求,设计了一款低相位噪声小数分频频率合成器。频率合成器通过采用一个1.4~2.2GHz超低压控灵敏度压控振荡器和可调同相/正交分频器,能够实现在220~1 100 MHz范围内产生同相/正交信号。此外,还采用了相位开关预分频器用于降低锁相环相位噪声,自校准充电荷泵用于抑制过冲,相位频率检波器用于缩短稳定时间。频率合成器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺制造,芯片面积1.2mm2,供电电压1.8V,功耗仅为15mW。在200kHz环路带宽内,测得的最小相位噪声在10kHz和1 MHz频偏时分别为-106dBc/Hz和-131dBc/Hz,能够在13.2μs内达到稳定。     

一种C波段低相噪锁相频率源的研制

提出了一种采用同轴介质谐振压控振荡器(CDRVCO)模式的锁相频率源设计方案,利用其低相噪、高Q值和高频率稳定度的优点,通过对锁相源合理的电路设计、仿真与实验,研制了一款C波段低相噪、单点频率为7 850 MHz的频率源。对样品的测试表明该频率源达到了预期的技术指标,测试结果为:工作频率为7 850 MHz时,相位噪声为-96dBc/Hz/1kHz、-98dBc/Hz/10kHz、-120dBc/Hz/100kHz、-143dBc/Hz/1MHz,近端参考杂散抑制>-95dBc。     

基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器

为了进一步有效提高光电振荡器的性能,提出了一种基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器.利用两级电功分器构成电增益环腔,结合偏振分束器和偏振合束器形成的光纤双环结构,在没有引入外调制器和电滤波器的前提下,得到了高边模抑制比的小型化光电振荡器.实验中光纤长度取110m和2 km,获得了中心频率为11.4 GHz的微波信号,边模抑制比为60 dB,其相位噪声为-103.6 dBc/Hz@10 kHz.