采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤

本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程，并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。     

在役加氢反应器试验板脆化和氢损伤的测定与研究

充分利用了带主焊缝的役后试板，在国内首次开展回火脆化、氢介质下断裂韧性与疲劳扩展的研究，结果表明，加氢反应器焊缝有明显的脆化表现。同时，核查了反应器开停车升温速度和降温速度规定，以及确定了裂纹允许尺寸的参考数据，为今后安全运行提供了充分的依据。     

半导体氧化物SnO2气敏元件研制中的几个有关机理问题

采用半导体氧化物S_nO_2材料,烧结工艺所生产的气敏元件,对被测气体有较高的灵敏度,在被检测气体含量只有十几到几百PPm时,气敏元件的阻值就可以产生很大的变化,这种阻值变化只要接上简单的电路就可以变换为电压的变化而测量出来。采用SnO_2气敏元件制成的检测仪器有较高的灵敏度、电路简单、造价低廉、使用方便等优点。因此一直处于半导体氧化物电阻式气敏传感器的主流。 SnO_2气敏元件在稳定性、互换性、定量检测以及对不同气体有较理想的选择性等方面,问题还尚未很好解决。其主要原因是导电机理表面效应牵涉的因素复杂所致。有待进一步研究。     

合成氨氢氮比自适应控制的研究

本文研究了中、小氮肥厂合成氨生产中氢氮比控制问题。文中给出了以机理分析和系统辩识相结合的方法建立的氢氮比系统动态数学模型,对未知模型参数采用在线递推估计技术进行实时辩识,构造出利用中间测量状态的最佳线性预估器,采用自校正控制方案,设计了适合于大时间滞后系统控制的极点配置算法,实现氢氮比控制。同时也绐出了系统的仿真实验曲线。     

SnO2光敏,气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的ＳｎＯ２薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。     

H2分子在Ni（100）,（110）,（111）单晶表面吸附研究

本文采用改进模型势方法，计算了Ｈ２分子在Ｎｉ（１００）、（１１０）、（１１１）单晶表面解离吸附的反应途径与位能面。通过对比研究，讨论了氢分子在镍三种单晶表面解离吸附的反应途径和位能面的一般规律与趋势。     

气隙隔板在国产氢内冷发电机上的应用

该文叙述了氢内冷发电机气隙隔板的作用原理，对国内电机不同容量，不同结构的电机造成转子过热的原因进行了分析，提出了不同容量、不同结构加装何种类型的隔板才是合理的。指出了在２００ＭＷ电机上只装轴向隔板是不合理的，虽降低了平均温度，但由于没有改变风量的分布，局部温度高的现象可能仍然存在。     

EFFECT OF HYDROGEN ON THE MICROSTRUCTURE OF SUPER-α2 ALLOY WITH β SOLUTION AND AGEING TREATMENT

借助透射电镜和Ｘ射线衍射仪探讨了氢对Ｓｕｐｅｒ－α２合金β固溶后时效组织的影响，结果表明，氢使时效组织显著细化，使析出相呈细小板条状规则排布，此外，氢还促进Ｂ２相转变为Ｏ相。