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991.
势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 总被引:2,自引:1,他引:1
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. 相似文献
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1000.
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的MBE技术,给出了材料性能和器件研制结果,从微结构设计出发,研究了平面掺杂GaAs/Al(Ga)As超晶格结构二维电子气有关性质,实验研究取得了重要的进展。 相似文献