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991.
992.
半导体照明大功率LED进展 总被引:9,自引:0,他引:9
半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。20世纪90年代年以来,随着氮化镓基第三代半导体的兴起,蓝色和白色发光二极管的研究成功,半导体照明已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃,其经济和社会意义巨大。 相似文献
993.
据俄罗斯最新一期《科学信息》杂志报道,俄专家开发出一种利用白光测量磨光玻璃表面光滑度的仪器,可以准确快速地辨别玻璃表面的突起或凹陷。工作时,该仪器将一束白光平分成完全相同的两束白光,并分别照射表面光滑的标准玻璃和需要检测表面磨光程度的玻璃,然后将两片玻璃的反射光线“合成”一条光线。通过电脑分析,可以得知两条反射光线所走过的路程长短。科学家介绍说,如待检测玻璃表面有突起,则反射光线走过的路程会比标准玻璃的反射光线走过的路程短;而如待检测玻璃表面有凹陷,效果则相反。通过分析反射光线所走过路程的长短,就可以判断… 相似文献
994.
基于半导体照明的节能、环保和巨大的潜在市场,许多国家政府都给予了高度重视,相继制定了国家级研究计划。在各国政府的大力支持下,1999年世界三大照明公司——通用、飞利浦和欧司朗同时与半导体界的佼佼者联合,组建了半导体照明公司,还有日本的日亚、美国的Cree公司等,都正在集中全 相似文献
995.
蒋世政 《组合机床与自动化加工技术》1996,(9)
本文介绍了数码管在故障诊断中的应用,本厂所设计的一套完整的诊断程序,能诊断全部硬件故障,其作用与屏幕显示等效。 相似文献
996.
997.
采用高温固相法合成了蓝色荧光粉KNaCa2(PO4)2:Eu2+,利用X射线衍射(XRD)和光谱技术等表征了材料的性能。结果显示,少量Eu 2+的掺入并没有影响KNaCa2(PO4)2的晶体结构。 在399nm近紫外光激发下,KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料发 射蓝光,发射光谱为400~600nm, 主发射峰位于471nm,对应Eu2+的4f65d1→ 4f7跃迁发射;471nm发射峰,对应的激发光 谱为250~450nm,主激发峰位于399nm,与近紫外芯片匹配很好。 以365nm近紫外光作为 激发源时,KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料的发射强度约为商用蓝色荧光粉BAM:Eu 2+的85%;而以 399nm近紫外光作为激发源时,相较于BAM:Eu2+,KNaCa2(P O4)2:Eu2+材料具有更强的发射强 度。此外,KNaCa2(PO4)2:Eu2+和BAM:Eu2+的CIE色坐标接近,均位于蓝 色区域,色坐标分别 为(0.154,0.154)和(0.141,0.112)。研究结果 表明,KN aCa2(PO4)2:Eu2+是一种在三基色白光LED中有应用前景的蓝色荧光粉。 相似文献
998.
999.
采用溶胶-疑胶法及后续硫化过程制备了Y_2O_2S:(Tb~(3+),Eu~(3+),Mg~(2+),Ti~(4+))白色长余辉发光材料,研究了煅烧温度对样品的物相、发射光谱、余辉衰减等性能的影响。结果表明:在不同煅烧温度下样品的物相均为纯Y_2O_2S相。用262 nm波长光激发样品,不同煅烧温度下制备的样品中Tb~(3+)和Eu~(3+)发射峰的位置与形状基本相同,其中位于416 nm处蓝光与544 nm处黄绿光的主发射峰归属于Tb~(3+)的~5D_3→~7F_5与~5D_4→~7F_5跃迁,位于626 nm处红光的主发射峰归属于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁,混合产生白光。在烧结温度为1200℃下制备的样品有最佳的色度坐标值(0.295,0.300)和余辉时间值1051s(≥1 mcd/m~2)。 相似文献
1000.
以Y2O3为原料、La2O3为烧结助剂,采用真空烧结法制备了(Y1-xLax)2O3透明陶瓷。研究了La2O3添加量对Y2O3陶瓷致密化行为的影响,确定La2O3的最佳添加量(摩尔分数)为10.0%。在此基础上制备了不同掺杂量(摩尔分数)的Eu:(Y0.9La0.1)2O3透明荧光陶瓷,研究了Eu3+掺杂浓度对陶瓷显微结构、光学性能及光谱特性的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷(1 765℃×50 h)的晶粒尺寸变化较小。其中,0.3%Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷的晶粒尺寸均匀(约为177.6μm),厚度为1 mm的陶瓷样品在800 nm处的直线透过率为62%。随着Eu3+掺杂浓度的增加,Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷的各个激发峰与发射峰强度变强。当激发波长为466 nm时,发射主峰位于红光波段611 nm处,属于Eu3+离子的5D0→7F2跃迁。研究表明Eu:(Y0.9La0.1)2O3透明陶瓷在白光发光二极管上具有潜在的应用价值。 相似文献