用ISA总线进行的存储器扩展

本文概述了微机系统存储器硬件扩展的方法，分析说明了通过ＩＳＡ（ＰＣＡＴ）总线进行存储器扩展的硬件电路的工作原理，并给出了用ＢＩＯＳ Ｉｎｔ １５Ｈ进行调试的程序及结果。     

导弹引信动态数据存储仪的研制

本文提供了适用于导弹滑轨与机载试验引信动态数据测试的一种大容量存储测试系统:导弹引信动态数据存储仪,论文论述了系统的构成,工作原理、工作状态图、电路设计及使用存储测试系统在导弹滑轨及特定机载测试环境下的必要性及优越性,该仪器在存储测试系统中首次采用了准静态存储器658512,使存储测试仪的存储容量较先前有了提高,文中阐述了该芯片的使用方法,由于该芯片在出现时间较晚,其使用方法在一股资料中较少涉及,希望本文能起到抛砖引玉的作用。     

MC68302芯片在通信中的应用

本文介绍了一种高集成、高性能的多规程通信接口芯片──ＭＣ６８３０２，详细说明了其内部硬、软件结构，并据亲身应用所得经验和体会，从多方面介绍利用该芯片设计各种通信电路。     

改进的衡疏分布存储器模型及其学习能力分析

Kanerva的衡疏分布存储器模型（SDM），由于其读写规则采用外积法，因此限制了它的应用，本文对该模型进行改进，改变了原来的读写规则，保留其衡疏分布式存储的特点，得到一个与小脑模型（CMAC）相似的新模型，但它不存在分块效应、不需要HASHING技术。理论分析和示例表明了该改进模型的合理性和有效性。     

8mm磁带存储技术

一、数据存储新挑战与8mm技术磁带存储技术随信息工业的需求而诞生，随信息工业的发展而发展，早期的磁带机容量有限、体积庞大、价格昂贵，只是大型主机的奢侈品。今天，计算环境有了巨大改变，开放的UniX系统逐渐侵蚀大型机的领地，PC局域网增长迅速。客户机／服务器结构主导     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。