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991.
利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅,再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作。设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法,避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的缺点。利用这种方法制作了线宽为4μm的硅闪耀光栅,使用原子力显微镜(AFM)进行了光栅表面形貌测试,得到平均表面粗糙度为110.94nm,试验结果表明制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形。  相似文献   
992.
在选定的分析条件下,对硅钢中的碳、硅进行光电直读光谱分析,较好地满足了生产需求。  相似文献   
993.
周桂海 《梅山科技》2006,(B11):35-36
采用微波消解法溶解硅钙合金,溶样完全、操作简单且样品不易损失。本方法有很好的准确度和精密度,工作效率大大提高。  相似文献   
994.
Shock compaction experiments for diamond powder with an initial size of 2 to 4 μm, respectively. The difference in the mechanical properties of SiC and diamond improves the densification, and Si is available to join diamond particles via chemical reaction. The difference of the constituent particle radii, however, causes serious problems with the distribution of shock energy.  相似文献   
995.
In this study, two colloidal dispersions of pure amorphous silicon dioxide particles, acetylated, and heat‐treated samples were tested for a possible application as a wood protection agents. The silicon, acetylated, and heat‐treated samples were exposed to an accelerated weathering experiment, and their dimensional stability was assessed. The weathering experiment comprised cycles of 2 h UV‐light irradiation followed by water spray for 18 min. The surface changes of the weathered samples were characterized by FT‐IR spectroscopy and color measurements. According to results, the silicon treatments showed lower color changes than untreated ones. However, acetylated and heat‐treated samples provided the lowest color changes. The resistance of the silicon, acetylated, and heat‐treated wood to decay was studied by means of brown and white rot fungi in laboratory decay tests. Decay test results revealed that acetylated and heat‐treated wood samples showed better decay resistance against P. placenta and C. versicolor than silicon treatments. Samples modified with silicon were exposed in above ground standard lap‐joint test in Ultuna, Sweden. The dispersions of pure amorphous silicon dioxide impregnated in wood did not significantly influence its hygroscopic and dimensional behavior. However, the silicon treatment reduced the color changes caused by weathering. The silicon impregnated samples showed a weak fungal discoloration similar to that of chromated copper arsenate impregnated controls in above ground standard lap‐joint test. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 102: 4506–4513, 2006  相似文献   
996.
Recently, a method for evaluating the fracture toughness of ceramics has been proposed by Fett based on the computed crack-opening displacements of cracks emanating from Vickers hardness indentations. To verify this method, experiments have been conducted to determine the toughness of a commercial silicon carbide ceramic, Hexoloy SA, by measuring the crack-opening profiles of such Vickers indentation cracks. Although the obtained toughness value of K o= 2.3 MPa·m1/2 is within 10% of that measured using conventional fracture toughness testing, the computed crack-opening profiles corresponding to this toughness display poor agreement with those measured experimentally, raising concerns about the suitability of this method for determining the toughness of ceramics. The effects of subsurface cracking and cracking during loading are considered as possible causes of such discrepancies, with the former based on direct observations of lateral subsurface cracks below the indents.  相似文献   
997.
Si-Si直接键合的研究及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
何国荣  陈松岩  谢生 《半导体光电》2003,24(3):149-153,171
硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。  相似文献   
998.
目前,先进国家普遍采用硅芯塑管作为光缆通信干线及高速公路通信的管道。经多年实践证明,光缆通信管道化在保证通信质量、安全,提高建设施工速度,降低生产成本等诸方面都有不可比拟的优越性。  相似文献   
999.
The substitution of between 0 and 1.6 wt% silicon (Si-HA) in hydroxyapatite (HA) inhibited densification at low temperatures (1000°–1150°C), with these effects being more significant as the level of silicon substitution was increased. For higher sintering temperatures (1200°–1300°C), the sintered densities of HA and Si-HA compositions were comparable. Examination of the ceramic microstructures by scanning electron microscopy (SEM) showed that silicon substitution also inhibited grain growth at higher sintering temperatures (1200°–1300°C). The negative effect of silicon substitution on the sintering of HA at low temperatures (1000°–1150°C) was reflected in the hardness values of the ceramics. However, for higher sintering temperatures, e.g., 1300°C, where sintered densities were comparable, the hardness values of Si-HA compositions were equal to or greater than that of HA, reflecting the smaller grain sizes observed for the former.  相似文献   
1000.
高压硅堆在雷达发射机中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
魏智  罗雪芳 《现代雷达》1998,20(1):74-82
较详细地介绍了高压硅堆在大功率电路中运用的成功经验和失败教训,列举了在高压整流电路、调制器内的充电电路、反峰电路、阻尼电路、高效率de-Q装置的回授电路和箝位限幅电路中运用高压硅堆的条件及工作状态的特点。指出了有些电路目前还不能用国产硅堆可靠地取代真空电子二极管的原因  相似文献   
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