射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

一种改进的射频加解扰方法

文中提出了一种改进的射频加解扰新方法，采用视频加扰与射频解扰相结合的技术，利用（Ｎ＋１）个电视射频频道实现对Ｎ路电视信号的加扰。     

国内外中短波调幅广播技术20年来的回顾和展望

文章回顾２０年来国内外调幅广播在调制制式，射频放大系统以及包括单边带，浮动载波和调幅多工等多种功能的发展状况。同时对今后调幅广播技术发展方向发表了几点看法。     

短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状

本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状，介绍了接收机的重要组成部件：混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状，给出了接收机的最新性能指标。     

RF电路瞬态包络分析算法研究

瞬态包络分析算法是一种快速有效的仿真算法，被广泛应用于RF电路仿真中，文章主要研究了基于打靶法的瞬态包络分析算法－采样包络算法，并给出了该算法的具体流程和计算机实现结果。     

基于RF401集成电路芯片住宅小区无线呼叫报警系统的设计

住宅小区无线呼叫报警系统使用了最新推出的单片无线收发 RF4 0 1芯片 ,通过单片机控制高频发射、高频接收 ,使住宅小区形成了无线报警网络 .呼叫报警系统具有数据双向传输、频率稳定、接收发射合一的特点     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

大电流监测信号提取的光收发及信号处理

近年来,大电流的监测成了人们十分关心的问题,这是由于大电流有强磁、高压、电流大等一系列的直接监测所不能克服的问题。这就需要把高压大电流的强电信号,经过提取后变成能在实验室中直接观测的弱电信号。为此,如何从高压大电流的信号中提取出随实时信号变化而实时变化的小信号就变成了一个关键问题。详细介绍了监测信号提取的光收发电路原理和后续信号处理电路,分析了各部分的作用,给出了必要的分析结果。     

基于片上DC-DC的CMOS光接收机前置放大器

利用CSMC 0.6μm CMOS工艺,设计了基于片上DC-DC转换器的光接收机前置放大器。电路采用可调跨阻放大器与片上DC-DC结构,有效地克服了单端跨阻放大器易受电源波动的干扰,并解决了高灵敏度与低失真相互矛盾的问题。模拟结果表明,输入动态范围为83 dB(峰-峰值=0.2μA~3 mA),等效输入电流噪声为1.2 pA/Hz(155 MHz),可稳定工作在155 Mb/s速率上;在5 V电源电压下,功耗为95 mW。