外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响

通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许我物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本工作对有、无磁场时溅射的过程与结果作了比较,包括自偏压值,薄膜结晶状况,薄膜磁性能的变化等等。通过比较认为,带电粒子在放电空间中的特殊磁场位形中的运动是变化的根本原因。     

不连续[NiFe/Ag]_n多层薄膜低场巨磁阻研究

用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了 [NiFe/Ag]n不连续多层膜。从理论上分析了不连续膜低响应、高磁电阻值的机制 ,不连续膜模型介于多层膜模型及颗粒膜模型之间。研究了工艺条件 ,即退火温度、退火时间及空间层Ag厚度对不连续膜巨磁电阻特性的影响 ,并对工艺条件进行了优化 ,在常温下获得巨磁电阻值 13% ,饱和场Hs<80 0A/m ,磁场灵敏度 1 3% / 80Am-1的优质薄膜材料。     

Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials

The preparation of high quality ZnO/Si substrates for the growth of GaN blue light emitting materials is considered. ZnO thin films have been deposited on Si (100) and Si (111) substrates by conventional magnetron sputtering. Morphology, crystallinity and c-axis preferred orientation of ZnO thin films have been investigated by transmitting electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD) and X-ray rocking curve (XRC). It is proved that the ZnO thin films have perfect structure. The full-width-at-half-maximum (FWHM) of the ZnO(002) XRC of these films is about 1°, while the minimum is 0.353°. This result is better than the minimum FWHM (about 2°) reported by other research groups. Moreover, comparison and discussion are given on film structure of ZnO/Si(100) and ZnO/Si(111).     

磁控反应溅射TaN薄膜的结构和性能

采用磁控溅射仪制备了ＴａＮ薄膜,研究了不同氮分压条件下ＴａＮ薄膜的成份、结构和力学性能。结果表明,氮分压在０．２＊１０＾－１Ｐａ时镀层由两相混合物正方的β－Ｔａ和面心立方结构的δ－ＴａＮ组成。而氮分压在０．４＊１０＾－１－０．８＊１０＾－１Ｐａ时,得到单相六方ＴａＮ结构。     

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

用Ａｒ^＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积．     

磁控溅射沉积铀薄膜组织结构研究

采用扫描透射电镜 (STEM) ,研究了铝上磁控溅射沉积铀薄膜的形貌、组织、结构以及铀薄膜的生长模型。结果表明 :磁控溅射沉积铀薄膜是由微晶和非晶态两态组成 ,属层状 岛状生长模型。     

溅射条件对湿敏薄膜特性的影响

本文介绍了RF溅射制备湿度敏感膜技术,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明,只要认真控制上述工艺条件便可以制成感湿特性良好的湿度敏感膜。     

Ti-Ta-O涂层的抗凝血性研究

利用磁控溅射技术合成了Ti-Ta-O薄膜涂层,采用体外血小板粘附试验,动态凝血时间测定以及动物体内试片埋植试验等评价方法,对涂层的抗凝血特性进行了研究;并采用Tauc法研究了涂层的禁带宽度,研究结果表明,Ti-Ta-O薄膜涂层具有良好的抗凝血特性以及禁带宽度为3．2eV的半导体特性,此外,探讨了Ti-Ta-O涂层的抗凝血机理,并提出材料的半导体特性是影响Ti-Ta-O涂层抗凝血特性的主要原因之一。     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．