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991.
本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术:机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展,作了详细的评述。  相似文献   
992.
Fracture toughness and fatigue crack propagation (FCP) of plain and modified anhydride-cured epoxy resin (EP) were studied at ambient temperature. Liquid carboxyl-terminated acrylonitrile-butadiene (CTBN) and silicon (SI) rubber dispersions were used as tougheners for the EP. The morphology of the modified EP was characterized by dynamic mechanical analysis (DMA) and by scanning electron microscopy (SEM). The fracture toughness, Kc, of the compositions decreased with increasing deformation rate. Kc of the EP was slightly improved by CTBN addition and practically unaffected by incorporation of the SI dispersion when tests were performed at low cross-head speed, v. Both modifiers improved Kc at high v, and also the resistance to FCP, by shifting the curves to higher stress intensity factor ranges, ΔK, by comparison with the plain EP. It was established that both fracture and fatigue performance rely on the compliance, JR, at the rubbery plateau, and thus on the apparent molecular mass between crosslinks, Mc. The failure mechanisms were less dependent upon the loading mode (fracture, fatigue), but differed basically for the various modifiers. Rubber-induced cavitation and shear yielding of the EP were dominant for CTBN, whereas crack bifurcation and branching controlled the cracking in SI-modified EP. The simultaneous use of both modifiers resulted in a synergistic effect for both the fracture toughness at high deformation rate and the FCP behavior.  相似文献   
993.
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。  相似文献   
994.
NOMENCLATUREc radialclearanceh filmthickness h dimensionlessfilmthickness (h/c)L/D ratiooflengthtodiameterp film pressuree eccentri  相似文献   
995.
ABSTRACT: Iron added as ferrous sulfate at 500 mg*kg−1 to rice, oats, whole grain wheat, or proanthocyanidin-free barley porridge caused significant changes in the Hunter "L", "a", and "b" values but the visual appearance of these porridges remained satisfactory. Porridge made with normal barley flour fortified with 500 mg*kg−1 of iron developed an unappealing gray color with ferrous sulfate, ferrous fumarate, or electrolytic iron, 3 salts differing in solubility. At 100 and 250 mg*kg−1 of iron, the discoloration of normal barley porridge was less pronounced, but still objectionable. When fortified with 50 mg*kg−1 of iron, normal barley porridge had a slight color change but was not noticeably gray. Thus barley-containing foods can be fortified with a soluble iron compound at the level of iron used in enriched flour and similar cereal-grain foods for the general population without developing an unattractive color.  相似文献   
996.
王四海  迮超 《电子质量》2002,(12):117-118,128
本文在讨论了下一代信令转接点在满足传统信令网络功能的基础上,着重介绍了下一代的信令转接点上实现的号码携带、灵活路由等新业务,并如何实现传统STP面向下一代网络的平滑过渡。  相似文献   
997.
Iodine doping of CdTe layers grown on (100) GaAs by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was studied using diethyltelluride (DETe) and diisopropyltelluride (DiPTe) as tellurium precursors and ethyliodine (EI) as a dopant. Electron densities of doped layers increased gradually with decreasing the growth temperature from 425°C to 325°C. Doped layers grown with DETe had higher electron densities than those grown with DiPTe. When the hot-wall temperature was increased from 200°C to 250°C at the growth temperature of 325°C, doped layers grown with DETe showed an increase of the electron density from 3.7×1016 cm−3 to 2.6×1018 cm−3. On the other hand, such an increase of the electron density was not observed for layers grown with DiPTe. The mechanisms for different doping properties for DETe and DiPTe were studied on the basis of the growth characteristics for these precursors. Higher thermal stability of DETe than that of DiPTe was considered to cause the difference of doping properties. With increasing the hot-wall temperature from 200°C to 250°C, the effective ratio of Cd to Te species on the growth surface became larger for layers grown with DETe than those grown with DiPTe. This was considered to decrease the compensation of doped iodine and to increase the electron density of layers grown with DETe. The effective ratio of Cd to Te species on the growth surface also increased with decreasing growth temperature. This was considered to increase the electron density with decreasing growth temperature.  相似文献   
998.
基于分形和PIFS函数的特点,提出一种改进的遗传算法用于分形压缩分块的定义域匹配搜索算法。该方法克服了原来分形图象压缩中分类匹配算法固有的局部最优性和随机搜索的缺点,是一种具导引的全局优化的搜索算法。分析和实验表明,该方法的图象压缩比高,解码质量好,若应用遗传算法的并行性,其编码速度也得到提高。  相似文献   
999.
溪口蓄能电站下库面板堆石坝最大坝高44.5m,施工期间布置的原型观测项目有坝体内部沉降和水平位移、周边缝和板间缝位移、面板应变以及坝基孔隙水压力。根据观测仪器自埋设至2000年的观测资料,文中分析了各项观测物理量的变化规律和变化趋势,综合评价了大坝的工作性态。  相似文献   
1000.
NGN问题及其发展策略考虑   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈如明 《电信科学》2002,18(12):6-9
本文在分析讨论NGN的背景,目前存在的争议基础上,结合中国国情,重点对NGN框架目标进行了展望并提出了发展策略考虑。  相似文献   
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