等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

导电高分子材料的开发与应用

综述了国外导电高分子材料研究开发状况及发展趋势。分析了国内该领域研究开发的现状，并对我国导电高分子材料的开发方向提出了建议。     

国内流延树脂薄膜的生产

综述了国内生产流延树脂薄膜的现状,着重介绍了流延膜的生产工艺、引进生产设备的情况、流延膜的种类及用途。     

磁记录技术中的薄膜磁性材料

随着计算机工业，信息，多媒体技术的高速发民菜，对计算机外存储设备提出了大容量，高数据传输速率及小型化的要求，而实现该要求的唯一途径是提高记录密度，近几年来，由于高矫顽固低噪声介质，薄膜磁阻头，读写及定位技术等方面的重大突破，使记录密度以每年６０％的速率递增，本文就这种数字式磁记录技术中使用的薄膜磁记录介质及新型薄膜磁头材料的发展作一简述。     

卡奇卡纳尔采选公司露天矿使用新型起爆系统的经验

本文简述了俄罗斯卡奇卡纳尔采选公司多年来为解决所属露天矿的矿岩爆破问题所作的努力，说明引进国外技术是生产所需要的，同时也为国内研制同类产品的工作指出了方向。     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

旋波媒质基本参数的一种测试方法

本文提出了直接利用旋波材料板的Ｓ参数获得其基本参数的方法。通过自由空间测量旋波材料板的反射场和透射场，可以反演得到媒质的复介电常数、复磁导率、旋波量以及透射场的轴比和旋转角，测试程序简单，结果精度高。