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51.
多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
分别用纳米γ-Al2O3和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al2O3涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al2O3涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明,这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。  相似文献   
52.
Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究   总被引:21,自引:4,他引:17  
初步研究了复合电镀各工艺条件:电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明:电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量;pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高,镀层中微粒的复合量随之略有改变;电镀时,加强搅拌或适当改变搅拌方式,可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。  相似文献   
53.
负载型复合载体及其镍基催化剂的性能   总被引:4,自引:4,他引:0  
采用溶胶-凝胶法制备了负载型ZrO_2/Al_2O_3和ZrO_2/Al_2O_3-SiO_2复合载体,研究了不同复合载体对Ni基催化剂CO_2重整甲烷反应和性能的影响,并用XRD、IR、TPR、TPD和BET等方法对复合载体及催化剂进行了表征。结果表明,ZrO_2负载在基载体后比表面积、碱性、活性组分Ni的分散度和Ni与ZrO_2的相互作用增大。NiO在复合载体表面的分散容量与ZrO_2的负载量有关,ZrO_2的负载量为37.5%时NiO的分散容量达最高值(24.0%)。与Ni/ZrO_2相比,Ni/ZrO_2/Al_2O_3-SiO_2和Ni/ZrO_2/Al_2O_3催化剂对CO_2的吸附能力增大,CO_2吸附量增加,酸强度降低,CO_2重整CH_4反应活性提高,其中以Ni/ZrO_2/Al_2O_3催化剂的活性最好。  相似文献   
54.
改性纳米TiO2光催化降解苯酚活性的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
在装有紫外光的光催化反应器中,用锐钛型纳米TiO2为光催化剂,进行了苯酚水溶液的光催化降解性能的研究。考察了溶液的pH值、纳米TiO2用量、镍(Ni^2+)掺杂量、苯酚的初始质量浓度等因素对苯酚水溶液光催化降解过程的影响。结果表明,在pH值为7时,苯酚水溶液的降解率达95%以上,强酸和强碱条件均不利于苯酚的降解。当TiO2用量为50mg,UV辐照40min时,200mL质量浓度为50mg/L的苯酚水溶液的降解率为96.3%;当TiO2用量为150mg,UV辐照60min时,200mL质量浓度100mg/L的苯酚水溶液的降解率为95.8%。镍掺杂增加了TiO2的光催化活性,用质量分数为10%的二氯化镍水溶液掺杂制备的复合光催化剂,苯酚水溶液的降解率比未掺杂时增加13.6%。  相似文献   
55.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
56.
《今日电子》2004,(2):3-3
“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。  相似文献   
57.
本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法,重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态,周围大气状况,所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明,针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射,电流热效应增强粒子的扩散能力,提高了电化学反应速度。最后给出了电场诱导阳极氧化扩散增强的加工机理。  相似文献   
58.
T-ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的力学行为   总被引:10,自引:0,他引:10  
研究了以四脚状氧化锌(T-ZnO)晶须为增强剂,环氧树脂复合材料的力学行为。结果表明,由具有三维空间结构的T-ZnO晶须为增强剂所制备的环氧树脂复合材料具有各向同性的力学性能,T-ZnO晶须填加质量分数为6%时,就可使材料的力学性能改善;拉伸强度提高到169%,拉伸功几乎提高了100%,冲击强度提高到300%,抗弯的断裂功提高到158%,而压缩强度略有下降。  相似文献   
59.
ZSP410/ZSP520/ZSP560:缓存DSP核;TrueStore RC7200:90纳米读取通道;CX23885:PCI Express广播解码器;BTG215:移动TV解决方案BTG215。[编者按]  相似文献   
60.
1,集成电路技术 发展重点将集中在SIP(硅IP)重用技术,新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米~45纳米集成电路关键装备等领域。  相似文献   
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