Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

火炮身管内表面激光硬化处理的实验研究

提高身管寿命是火炮行业亟待解决的关键技术问题，激光表面改性技术是解决这一问题的有效方法之一。本文在分析激光表面相变硬化性能的基础上，对身管内表面进行了激光硬化处理实验研究，检测了其内表面阳线和阴线的硬化层硬度和深度，对比分析了离焦量和焦深对其内表面硬化层硬度的影响，并对激光相变硬化层金相组织进行了分析。经激光硬化处理后，身管的内表面硬度有明显提高，硬化层较深，且为很细的条状马氏体组织。     

用阳离子表面活性剂提高糖浆质量

用荷兰阳离子表面活性剂Arquad2HT鄄75与P2O5组合对复筛原糖浆进行气浮清净试验并与其它的组合进行比较。实验结果表明:2HT鄄75与P2O5的组合最优。在实验条件下,2HT鄄25添加量500×10-6,可取得较佳的清净效果。     

提高焊膏印刷质量的工艺改进

焊膏印刷作为SMT工艺的第一步，其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析，讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择；对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析，指出了产生问题的原因，提出了改进措施。     

Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

制造工艺中不可忽视的课题：湿度敏感器件（MSD）

从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现，人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去，这是一个复杂的现象，在制造过程中，受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则，是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前，我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措，而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长，为了提高电子产品的可靠性，无疑又一次向我们提出了新的挑战。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。