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991.
STLING Mikael 《中国科学:信息科学(英文版)》2011,(5):1087-1093
Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very hi... 相似文献
992.
XU Kun YIN Jie NIU Jian SUN XiaoQiang WU Jian & LIN JinTong Key Laboratory of Information Photonics Optical Communications Ministry of Education Beijing University of Posts Telecommunications Beijing China 《中国科学:信息科学(英文版)》2011,(2):236-243
993.
光进铜退是中国固网运营商中国电信和中国网通为逐步实现光纤接入(FTTx),用光纤代替铜缆所提出的一项工程——中国固网运营商现在所采用的ADSL接入网一般都是局端集中方式,即用户家ADSL Modem需要同电信分局的ADSL局端设备同步信号,这段距离一般超过3公里。这样,距离成为了国内ADSL技术提速的最大问题。所以,"光进铜退"的策略就是将FTTx技术同ADSL技术相结合,尽可能缩短ADSL局端设备(DSLAM)同用户家这段铜线的距离,以提供高带宽接入。 相似文献
994.
995.
位移测量装置利用测量杆通过楔形块作用在固定于底座的等强度悬臂梁上,其中,光纤Bragg光栅粘贴于其中一块等强度悬臂梁外表面的中心线处。在测量中,当测量杆产生位移时,会带动楔形块产生相应的位移,并促使等强度悬臂梁的自由端产生扰度变化,从而导致粘贴于等强度悬臂梁外表面的光纤Bragg光栅产生波长移位。实验表明,当位移增加或者减少时,位于中心测点的光纤Bragg光栅的实验灵敏度分别为正行程0.015nm/mm,反行程为0.014nm/mm,重复性误差为2.2%;正行程的线性度为0.99728,反行程的线性度为0.99684,迟滞为0.0626%FS。 相似文献
996.
检测石油管道冰堵与定位的光纤传感器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
寒冷地区成品油管道冰堵现象时有发生.利用分布式光纤传感器检测管道沿途发生的冰堵信息;利用具有表征信号局部特征能力韵小波分析的方法确定光纤两端2个测试信号的时延,进而即可确定冰堵点的位置.阐述了其测试原理和堵塞点定位方法,理论分析和仿真实验结果表明:该方法可以有效提高管道冰堵测试的灵敏度和定位精度. 相似文献
997.
基于气体的红外吸收原理,研究了一种能在复杂环境下测量甲烷气体体积分数的新方法.这种方法可以有效地减小由于光源的不稳定、环境的变化而引起的测量误差.在这种测量方法中设计了一条参考测量光路,此参考测量光路和测量光路同时随环境的变化而变化,通过对待测量气体光路与参考气体测量光路作对比而得出较为准确的待测甲烷气体体积分数. 相似文献
998.
针对选煤厂电缆火灾事故的主要原因及特点,提出了一种分布式光纤温度监测系统的设计方案,详细介绍了该系统的工作原理、组成、人机界面、具体功能。实际应用表明,该系统可对电缆夹层、电缆桥架、电气系统等关键区域温度进行实时监控,确保了选煤厂的安全生产。 相似文献
999.
触觉是一种重要的感觉方式,是将外界的刺激信息传递到大脑的手段。纤维艺术媒材的特殊性使纤维艺术家创造过程中充分的依靠触觉对纤维媒材的触觉体验并形成了自身的材料观和空间观念。本文从多个艺术家在创作中对纤维媒材的触觉体验出发,进一步论证了触觉体验对于纤维艺术创作的重要性。 相似文献
1000.
T. LalinskýAuthor VitaeG. VankoAuthor Vitae M. ValloAuthor Vitae M. Dr?íkAuthor VitaeJ. BrunckoAuthor Vitae J. JakovenkoAuthor VitaeV. KutišAuthor Vitae I. RýgerAuthor VitaeŠ. Haš?íkAuthor Vitae M. HusákAuthor Vitae 《Sensors and actuators. A, Physical》2011,172(2):386-391
We report on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN circular high electron mobility transistor (C-HEMT) based ring gate capacitor as a new stress sensor device to be potentially applied for dynamic high-pressure sensing. A ring gate capacitor of C-HEMT with an additional ZnO gate interfacial layer was used to measure the changes in the piezoelectric charge induced directly by the variation of piezoelectric polarization of both gate piezoelectric layers (AlGaN, ZnO) for harmonic loading at different excitation frequences. Our experimental results show that about 10 nm thick piezoelectric ZnO layer grown on ring gate/AlGaN interface of C-HEMT can yield almost a 60% increase in the piezoelectric detection sensitivity of the device due to its higher piezoelectric coefficient. A three-dimensional CoventorWare simulation is carried out to confirm the increase in the measured piezoelectric response of ZnO based ring gate capacitor of C-HEMT. 相似文献