首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   40758篇
  免费   3784篇
  国内免费   1585篇
电工技术   1334篇
综合类   2981篇
化学工业   10776篇
金属工艺   1592篇
机械仪表   1560篇
建筑科学   3253篇
矿业工程   360篇
能源动力   358篇
轻工业   7011篇
水利工程   405篇
石油天然气   430篇
武器工业   270篇
无线电   8266篇
一般工业技术   5599篇
冶金工业   470篇
原子能技术   196篇
自动化技术   1266篇
  2024年   117篇
  2023年   540篇
  2022年   1011篇
  2021年   1157篇
  2020年   1124篇
  2019年   1007篇
  2018年   974篇
  2017年   1395篇
  2016年   1344篇
  2015年   1445篇
  2014年   2054篇
  2013年   2264篇
  2012年   2779篇
  2011年   2760篇
  2010年   2177篇
  2009年   2405篇
  2008年   2100篇
  2007年   2937篇
  2006年   2888篇
  2005年   2465篇
  2004年   1990篇
  2003年   1637篇
  2002年   1522篇
  2001年   1279篇
  2000年   1009篇
  1999年   830篇
  1998年   585篇
  1997年   472篇
  1996年   381篇
  1995年   349篇
  1994年   311篇
  1993年   253篇
  1992年   198篇
  1991年   158篇
  1990年   89篇
  1989年   59篇
  1988年   21篇
  1987年   11篇
  1986年   7篇
  1985年   2篇
  1984年   5篇
  1983年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   8篇
  1979年   1篇
  1977年   1篇
  1959年   3篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very hi...  相似文献   
992.
We propose and experimentally demonstrate the heterodyne mixing and polarization diversity tech- niques in radio over fiber (ROF) systems with the advantages of high sensitivity and dispersion endurance. The generation of 2.5 Gb/s optical DPSK and PSK signals, fiber propagation and wireless transmission over 15 GHz subcarrier are illustrated with very low sensitivity of -26 and -32 dBm, respectively. Moreover, based on the wireless polarization diversity techniques, we successfully performed the t...  相似文献   
993.
光进铜退是中国固网运营商中国电信和中国网通为逐步实现光纤接入(FTTx),用光纤代替铜缆所提出的一项工程——中国固网运营商现在所采用的ADSL接入网一般都是局端集中方式,即用户家ADSL Modem需要同电信分局的ADSL局端设备同步信号,这段距离一般超过3公里。这样,距离成为了国内ADSL技术提速的最大问题。所以,"光进铜退"的策略就是将FTTx技术同ADSL技术相结合,尽可能缩短ADSL局端设备(DSLAM)同用户家这段铜线的距离,以提供高带宽接入。  相似文献   
994.
介绍了全光纤监控预警系统及其模式识别算法。利用小波包分解对信号提取各频段内信号分量能量谱作为特征向量;应用速度与精度均非常出色的RBF神经网络实现信号分类,提高网络泛化能力。利用MATLAB引擎、组件对象模型(COM)两种混合编程方法实现将MATLAB算法程序集成到VC编写的系统平台中。使用文本文件存取网络数据,克服了MATLAB无法编译神经网络工具箱函数的缺陷,并从操作复杂度、执行时间、消耗内存等方面对两种方式进行对比,最终选定组件对象模型作为系统应用方案。  相似文献   
995.
李伟  李川 《微计算机信息》2011,(3):52-53,67
位移测量装置利用测量杆通过楔形块作用在固定于底座的等强度悬臂梁上,其中,光纤Bragg光栅粘贴于其中一块等强度悬臂梁外表面的中心线处。在测量中,当测量杆产生位移时,会带动楔形块产生相应的位移,并促使等强度悬臂梁的自由端产生扰度变化,从而导致粘贴于等强度悬臂梁外表面的光纤Bragg光栅产生波长移位。实验表明,当位移增加或者减少时,位于中心测点的光纤Bragg光栅的实验灵敏度分别为正行程0.015nm/mm,反行程为0.014nm/mm,重复性误差为2.2%;正行程的线性度为0.99728,反行程的线性度为0.99684,迟滞为0.0626%FS。  相似文献   
996.
检测石油管道冰堵与定位的光纤传感器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
寒冷地区成品油管道冰堵现象时有发生.利用分布式光纤传感器检测管道沿途发生的冰堵信息;利用具有表征信号局部特征能力韵小波分析的方法确定光纤两端2个测试信号的时延,进而即可确定冰堵点的位置.阐述了其测试原理和堵塞点定位方法,理论分析和仿真实验结果表明:该方法可以有效提高管道冰堵测试的灵敏度和定位精度.  相似文献   
997.
基于气体的红外吸收原理,研究了一种能在复杂环境下测量甲烷气体体积分数的新方法.这种方法可以有效地减小由于光源的不稳定、环境的变化而引起的测量误差.在这种测量方法中设计了一条参考测量光路,此参考测量光路和测量光路同时随环境的变化而变化,通过对待测量气体光路与参考气体测量光路作对比而得出较为准确的待测甲烷气体体积分数.  相似文献   
998.
针对选煤厂电缆火灾事故的主要原因及特点,提出了一种分布式光纤温度监测系统的设计方案,详细介绍了该系统的工作原理、组成、人机界面、具体功能。实际应用表明,该系统可对电缆夹层、电缆桥架、电气系统等关键区域温度进行实时监控,确保了选煤厂的安全生产。  相似文献   
999.
触觉是一种重要的感觉方式,是将外界的刺激信息传递到大脑的手段。纤维艺术媒材的特殊性使纤维艺术家创造过程中充分的依靠触觉对纤维媒材的触觉体验并形成了自身的材料观和空间观念。本文从多个艺术家在创作中对纤维媒材的触觉体验出发,进一步论证了触觉体验对于纤维艺术创作的重要性。  相似文献   
1000.
We report on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN circular high electron mobility transistor (C-HEMT) based ring gate capacitor as a new stress sensor device to be potentially applied for dynamic high-pressure sensing. A ring gate capacitor of C-HEMT with an additional ZnO gate interfacial layer was used to measure the changes in the piezoelectric charge induced directly by the variation of piezoelectric polarization of both gate piezoelectric layers (AlGaN, ZnO) for harmonic loading at different excitation frequences. Our experimental results show that about 10 nm thick piezoelectric ZnO layer grown on ring gate/AlGaN interface of C-HEMT can yield almost a 60% increase in the piezoelectric detection sensitivity of the device due to its higher piezoelectric coefficient. A three-dimensional CoventorWare simulation is carried out to confirm the increase in the measured piezoelectric response of ZnO based ring gate capacitor of C-HEMT.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号