一种考虑互耦的脉冲天线阵列快速计算方法

基于有源单元方向图思想,提出了一种可用于计算脉冲天线阵列时域辐射场的快速方法.该方法在考虑单元间互耦的情况下,将大型阵列的时域辐射场计算问题转化为一个小型阵列的计算问题,大大地减少了计算量.采用文中的阵列综合方法,结合有限积分法软件,仅对一个5×5元阵列进行模拟,即可推算出大型阵列的远场方向图,其计算时间不超过全波模拟时的十分之一.计算结果与仿真软件的仿真结果吻合较好,验证了方法的正确性.     

基于二次反锐化掩模的多特征侧扫 声纳成像海底底质分类

提出了一种二次反锐化掩模算子(QUM),用于从图像中提取等比重的边缘和细节信息.把图像的平均边缘细节量(QUM )、平均纹理能量(TEM )和标准差(σ)相结合,构成本文的三维特征矢量(QUM ,TEM ,σ),用于对侧扫声纳海底图像进行底质分类.利用该特征矢量(QUM ,TEM ,σ)对泥、沙、石三种类型海底的150幅侧扫声纳图像进行分类实验,获得了最高96.7%、最低90.7%的识别率,而利用常用的灰阶共生矩阵方法的分类识别率为87.3%,表明本文方法能较好地用于海底底质分类.     

基于FIB-SEM制备尖晶石微米颗粒的球差校正透射电镜样品

针对尖晶石微米颗粒材料,利用聚焦离子束扫描电镜双束系统(FIB-SEM),在传统透射电镜样品制备方法的基础上进行技术性改进,成功制备了高质量的球差校正透射电镜样品.并利用球差校正透射电镜成功观察到了尖晶石颗粒的截面原子结构,为更深入地研究尖晶石材料的结构和性能奠定了基础.     

Ni(OH)2及Co(OH)2片状纳米晶体的合成与表征

使用强碱氢氧化钾为沉淀剂,通过水热法成功合成了具有六角形貌的过渡金属氢氧化物Ni（OH）2及Co（OH）2片状纳米晶.利用X射线粉末衍射仪和透射电子显微镜对样品的结构和形貌进行了表征.透射电镜观察结果显示：Ni（OH）2相为规则六角纳米片,Co（OH）2相为纳米片和纳米棒的混合物.选区衍射结果指出：Ni（OH）2及Co（OH）2纳米晶体均为单晶体.Ni（OH）2及Co（OH）2纳米片的产率分别达到了70%和90%.将实验结果同前人的过渡族金属氢氧化物纳米片报道进行了比较,提出了一个新的片状纳米晶的形成机制,指出在正常的沉淀条件下,Ni（OH）2及Co（OH）2纳米晶的稳定形貌总为六角片状.     

7050铝合金表面喷丸强化层内纳米结构微观组织结构分析

利用喷丸技术在7050铝合金表面制备了纳米结构表面层。采用EBSD、TEM和XRD等方法分析了表面纳米结构层的组织结构。试验结果表明,采用喷丸技术可以在7050铝合金表面制备出纳米结构表面层,表面层是由原始晶粒细化成由表及里梯度分布的不同取向纳米级结构构成,深度～150μm。7050铝合金表面纳米化使材料的表层残余应力变成拉应力,硬度明显降低,与基体相比,表层的硬度降低了～70％。     

硅中缺陷的透射电镜观察

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视.通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析.     

铸态SiCp/Al基复合材料中的台阶界面

采用铸造方法制备了SiCp／Al—10Si-0.5Mg、SiCp／Al—5Si-0．5Mg复合材料，以常规透射电镜为主要分析手段，对复合材料中六方SiC颗粒上的台阶界面进行了研究。台阶界面产生于SiC颗粒上的局部区域。台阶上两个相交的小平面，其中之一是六方SiC晶体中的(0001)最密排面，台阶界面上增强体与基体结合良好。提出了台阶界面形成的两种机制。     

TEM传输室置入金属EUT后场分布的边界元分析

横电磁波传输室广泛应用于电磁兼容试验中，当置入受试设备后，其中的场分布会发生扰动。本文采用边界元法分析了横电磁波传输室中置入金属箱体的受试设备后场分布的规律，对受试设备所受暴露场的场强进行了计算，并提出了具体的估算方法。对空载时横电磁波传输室的场分布进行了测量，测量结果证实了计算方法的正确性。     

Strain relaxation in silicon ion molecular beam epitaxy on silicon (001) substrates during aging

Silicon strained epitaxial films were grown on Si (001) substrates by low energy ion beam assisted molecular beam epitaxy. Films grown in the range of 450– 550°C with concurrent Ar⁺ ion bombardment (100 eV) were characterized using x-ray diffraction and transmission electron microscopy and found to be disloca-tion free and ununiformly strained. During aging, the strained layers stay stable until 500°C. Relaxation of most of the strain occurred at temperatures of 500-650°C. At higher aging temperatures, the strained layers relaxed by the formation of dense dislocation structures.