浅析高校新校区选址主要影响因素

从政策、城市与区域规划、环境、文化及其传承因素、基础设施等方面探析了高校新校区选址有关的主要影响因素，以满足高等学校大规模的扩建要求，促进高等教育的发展。     

一种基于ECDSA的USB存储设备访问控制方案

文章针对使用USB存储设备造成的内部泄密问题,提出了一种USB存储设备访问控制方案,该方案对用户的身份认证基于安全强度很高的椭圆曲线数字签名算法,同时使用过滤器驱动程序实现了USB存储设备的读写控制,因而此方案具有较好的安全性、实用性和通用性。     

High Power Fiber Bundle Array Coupled LDA Module

1 Introduction High power laser diode arrays (LDA) have many advan- tages such as small volume, long working life, high slope efficiency and high optical density, so they have many applications in medical treatment, material pro- cessing, and for the pumping source of solid laser and etc. But unfortunately, the LDA can not be easy to use directly in these fields because of their poor beam quality and extremely asymmetric divergent beams (!x≈ 5°～10°and !y≈20°～35°, for example), so it …     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

抽油机减速箱缺油保护系统的研制

抽油机减速箱损坏的主要原因之一是减速箱润滑油不足。目前,没有对抽油机减速箱内的油量进行实时监测,减速箱缺油后,抽油机不能立即停机,使减速箱在缺油状态下长期运转,造成齿轮、轴承损坏,甚至报废。为解决这一问题,研制了一种实时报警装置,当油量少于设定的最小值时,可以在现场发出报警信号,并对抽油机采取强制停机措施,起到保护减速箱的作用。     

Windows2000环境下实时控制系统的软件实现

文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM（Windows Driver Model）设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号．通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明：在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪，证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题，为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

新型潜油电泵防砂防垢吸入口的研究应用

针对中原油田矿化度高、出砂量大的开采现状,设计了潜油电泵防砂防垢吸入口,作为电动潜油泵提液系统的辅助设备,对井液先通过滤网防砂管工艺装置进行砂粒过滤,同时通过高强磁防垢器进行磁化处理,使矿化物分子结构改变,结垢缓解。解决了多砂和矿物质结垢而造成的泵卡及泵结垢等技术难题,现场应用效果良好。