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91.
Chihiro J. Uchibori Y. Ohtani T. Oku Naoki Ono Masanori Murakami 《Journal of Electronic Materials》1997,26(4):410-414
Significant reduction of the contact resistance of In0.7Ga0.3As/Ni/W contacts (which were previously developed by sputtering in our laboratory) was achieved by depositing a W2N barrier layer between the Ni layer and W layer. The In0.7Ga0.3 As/Ni/W2N/W contact prepared by the radio-frequency sputtering technique showed the lowest contact resistance of 0.2 Ωmm after annealing
at 550°C for 10 s. This contact also provided a smooth surface, good reproducibility, and excellent thermal stability at 400°C.
The polycrystalline W2N layer was found to suppress the In diffusion to the contact surface, leading to improvement of the surface morphology and
an increase in the total area of the InxGa−As between metal and the GaAs substrate. These improvements are believed to reduce the contact resistance. 相似文献
92.
A vibrating Kelvin probe in form of a platinum wire loop is used to measure the surface potential Us on electron-irradiated free-floating metal and insulator specimens as a function of electron energy E. This allows an accurate measurement of the critical electron energy E2 for no charging. At energies below E2, the positive charging increases with decreasing energy to Us=2–5 eV at E=0.5 keV and switching off the collector bias of the Everhart-Thornley detector. A two-to threefold increase of Us is observed when the bias is switched on. For E > E2, the strong increase of a negative surface potential can be measured. Insulating films free-supported on a conductive substrate show a steep decrease to small positive and negative Us when the film thickness becomes lower than the electron range at a critical energy E3 > E2. At insulating specimen the temporal decrease of charging can be measured when the electron beam is switched off. 相似文献
93.
以YAG为添加剂的气压烧结氮化硅 总被引:2,自引:1,他引:1
本文以添加YAG的反应烧结氮化硅(RBSN)为前驱体,采用气氛加压烧结的工艺,在0.5~9.0MPa氮气压力范围,研究了不同氮压对烧结体的密度、相组成、强度和显微结构的影响及其相互间的关系。研究表明,通过改变氮气压力能有效地调控材料的显微结构,材料的性能又受控于显微结构的变化。 相似文献
94.
95.
本文简单介绍了类金刚石膜的制备方法、并讨论了膜成分、结构、电阻率、硬度、内应力和附着力等性能,总结了类金刚石膜在机械、电子、声学、电子计算机、光学和医学等领域的应用状况以及将来的发展趋势。 相似文献
96.
张庆瑜 《真空科学与技术学报》1996,(1)
着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰,探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时,利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化,给出新的解释。 相似文献
97.
98.
高性能各向异性Sm2Fe17Nx磁粉的制备 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了高性能各向异性Sm2Fe17Nx磁粉的制备工艺路线与工艺参数。优化了制备与工艺参数。已制备出磁性能达到:Br=1.39T,Hci=850KA/m和(BH)m=236KJ/m^3的各向异性Sm2Fe17N2.88磁粉,该磁粉的各向异性场HA达到20T。 相似文献
99.
薄膜生长的计算机模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究,其中计算机模拟是重要的方法,本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析,主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题,其中主要包括粒子间的相互作用,入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。 相似文献
100.