高纯硼烷中杂质的低温气相色谱分析

用低温色谱法解决硼烷的分解问题，使硼烷中氢的分析成为可能，该法又能消除硼烷和四硼烷（B4H10)对氧、氮和甲烷峰测定的干扰，此方法的建立使硼烷的标准制定成为可能。     

大庆长垣外围油田的开发问题

本文在对大庆长垣外围油田的地质情况、油藏类型综合分析评价的基础上,论述了开发这些油田的一系列有关问题。     

气泡在粘弹性液体中溶解的研究进展

在发泡塑料的制造过程中，均相气体－聚合物体系的形成直接影响了制品的物理机械性能，因此了解气泡在粘弹性液体中的溶解机理成为必然。本文讲述了气泡在流体中塌陷行为的研究进展。对Rayleigh对低粘度牛顿流体，Foqer和Goddand在无线量线性Maxwell模型的粘弹性体，Tanasawa和Tang用oldroyd三常数粘弹模型等科学家的研究行为做了概述，总结出影响此过程的复杂的影响因素，并指出进一步的研究方向。     

Electrical and growth characteristics of Au/Al0.15Ga0.85N:Si structures with various Si incorporations

We have investigated the growth characteristics of n-Al_0.15Ga_0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al_0.15Ga_0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al_0.15Ga_0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH₄. However, many cracks are observed in the n-Al_0.15Ga_0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher.     

内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水

本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水，经过一段时间的驯化，获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65％以上，系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加，说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1／120至1／140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后，出水COD降为60－80mg/L,BODo 50-60/L，色度为100－150CU，挥发性酚的质量浓度小于0．0265mg／L。     

天然气在应用领域的市场竞争力简析

文章以上海当前能源价格为例,讨论天然气与其他可替能源在应用领域的能耗费用,分析天然气的市场竞争力。     

半导体芯片厂有害气体检测器使用经验之探讨

本文除概略介绍气体检测器的种类处，主要对气体检测器的原理和在实际使用中的局限性作一基本归纳叙述。限于篇幅，本文将论述的重点放在气体检测器的选用与设置规划上，提出个人的一点心得与看法，以作为未来设置气体检测器系统时之参考。     

吐丝圈径对大规格高碳盘条组织性能的影响

计算与分析了斯太尔摩冷线上盘条的吐丝圈径、搭接密度及"佳灵"装置横向布风曲线之间的关系,研究了吐丝圈径的大小对大规格82B盘条组织和性能的影响,确定了大规格82B盘条最小吐丝圈径应为980mm.     

多层薄膜结构气敏效应研究

在SnO2气敏薄膜层上覆盖一层或多层钝化材料（SiO2,Al2O3) 薄膜，制成的多层膜气敏元件，可很好地排除大分子气体如乙醇等对小分子H2检测的干扰，使其具有单独检测H2的功能。本文还通过测量元件的升温曲线，推导出敏感体表面的氧吸附活化能；找出活化能与灵敏度、选择性的关系。根据实验现象和物性分析结果，试着探讨了元件的敏感机理。