Influences of vacancy defects on thermal conductivities of Ge thin films

The effects of vacancy defects on the thermal conductivity of Ge thin films were investigated by employing molecular dynamics(MD) simulations and theoretical analysis based on the Boltzmann equation.Both the MD and theoretical results show that the lattice thermal conductivity dramatically decreases with the increasing of vacancy concentration at 400 and 500 K.In addition,the dependence of vacancy concentration on the thermal conductivity of Ge thin films becomes less sensitive as the temperature increases.Theoretical results also confirm that the major part of the lattice thermal conductivity reduction is associated with the point-defect scattering and phonon-phonon scattering processes.     

煤中锗的资源分布及煤伴锗提取工艺的研究进展

介绍了煤中锗资源的分布规律及我国的锗煤富集区分布情况。阐述了水冶法、火冶法、微生物浸出法和干馏法处理含锗烟尘的研究进展,并进行了不同工艺的对比。在火冶法中,着重介绍了燃烧富集、二次富集处理含锗褐煤及采用氯化蒸馏法处理含锗烟尘的工艺,并以含锗褐煤为例,对热电联产富集锗、氯化蒸馏提锗的处理过程进行了物料平衡分析。简要分析了煤伴锗提取工艺中存在的问题,并指出提锗工艺的改进方向和建议。     

烟化法处理铅锌冶炼渣的生产实践与探讨

铅锌冶炼渣含有锌、铅、银、锗等有价金属,且属重金属危废物。根据锌浸出渣和铅还原渣的特性,将固态锌浸出渣与液态铅还原渣按配比混合烟化处理。该技术应用实践表明：铅锌冶炼渣通过烟化炉搭配处理,具有生产效率高、资源利用率高、节能环保等优点。既能有效回收铅锌冶炼渣中的有价金属,又实现了铅锌冶炼渣的无害化处理。     

内蒙古胜利煤田共生锗矿与成煤沼泽微环境的成因关系

测试的200个煤样采自沿煤层走向和垂直方向的29个钻孔,研究发现,锗的含量沿煤层的走向和垂直方向的分布并不均一,高锗品位可能出现在煤层的顶部、中部和底部,最高的锗含量大多出现在煤层中部.这个结论有别于前人的研究结论:一般认为最高的锗含量只出现在煤层的顶部或底部.根据锗含量与煤相的关系：锗含量和腐植质含量(V)、 V∕I, V∕w(F+SF)、 凝胶指数(G_I)等显示正相关关系和惰质组含量（I）、 惰质体含量（I_R）、 转化指数（T_I）呈负相关;而锗含量和成煤植物组织保存指数（T_PI）的关系不明确.由此表明,煤中锗的聚集与成煤沼泽微环境有成因上的联系,有利于锗聚集的环境是弱水动力、低水位、高还原性的停滞沼泽环境.     

三芳基锗取代丙酸与乙氧基三氧杂氮杂硅杂三环[3,3,3,0~(15)]十一碳烷的反应

用 β-三芳基锗 -α(β) -取代丙酸与 1 -乙氧基 -2 ,8,9-三氧杂 -5 -氮杂 -1 -硅杂三环 [3 ,3 ,3 ,0 1 5]十一碳烷反应 ,合成了 1 2种含硅锗的双金属有机化合物。利用IR、NMR和MS表征了化合物的结构和裂解机制。生物活性测定表明 ,其杀菌活性具有一定的选择性     

微量锗的分析方法

以HClO4为支持电解质 ,没食子酸为络合剂 ,在示波极谱仪上对锗进行了测定。实验确定的最佳测定体系是 0 .1mol/LHClO4加 5 .0× 10 -4mol/L没食子酸的体系。锗测定的线性范围是 2 .0× 10 -6～ 5 .0× 10 -5mol/L。通过一系列实验证明了该体系形成的极谱波为配合吸附波。经实验测定 ,其配合物的配合比为 1∶2 ,电极反应转移电子数为 3.9。     

锗Ⅳ-酒石酸-苯基荧光酮-表面活性剂胶束混配络合显色反应及其应用

有CTMAB和TritonX 10 0存在下和在pH4.5的NaAc -HAc缓冲介质中 ,Ge 与酒石酸 (Tar)和苯基荧光酮 (PF)形成胶束混合配位络合物 ,在 0 82mol/LHCl介质中 ,络合物至少可稳定 6h。测得络合物组成比为Ge ∶Tar∶PF =1∶2∶2。其最大吸收波长在 5 0 5nm处 ,表观摩尔吸光系数ε =1.2 5× 10 5 ,Ge 量在 0～ 0.5 6mg/L范围符合比尔定律。方法灵敏 ,选择性较高 ,用于烟道灰和锌精矿中微量锗的测定 ,结果满意。     

B掺杂p型SiGe合金的制备与热电性能表征

SiGe合金作为一种重要的高温热电材料一直被广泛关注并得到商业应用,其n型SiGe合金热电材料的无量纲热电优值(ZT)取得较大进步,但是p型SiGe合金的ZT值仍然较低。本文,以一定化学计量比均匀混合的Si、Ge、B混合粉末为原材料,使用放电等离子烧结(SPS)系统一步法合金化制备了p型Si80Ge20Bx(x=0.5,1.0,2.0)合金热电材料,并对样品的组成、微观形貌、热电性能进行了表征与分析。结果表明,放电等离子烧结过程实现原位合金化并烧结为块体材料。随着B掺杂量的增加,电导率明显提升,热导率显著下降,当温度为950 K时,热导率为1.79 W /(m?K)。在1050 K时,ZT值达到了0.899。球磨和掺杂的协同作用使得SiGe结构基体中产生不同类型的缺陷特征而散射不同波长的声子,导致硅锗合金热导率的降低。     

锗原子量的新测定(英文)

用两种高富集锗同位素配制的标准混合溶液系列 ,以标定一台 MAT-2 62热电离质谱仪 ,求得 4个同位素丰度比的校准因数 ,从而测得 5种天然锗样品的 4个同位素丰度比的真值。由此计算天然锗 5种同位素的丰度值如下 :2 0 .37± 0 .0 5　　原子 %70 Ge2 7.38± 0 .0 4　　原子 %72 Ge7.76± 0 .0 5　　原子 %73 Ge36.66± 0 .0 5　　原子 %74 Ge7.83± 0 .0 5　　原子 %76Ge再各乘以已知的原子质量 ,得出锗原子量的新值为 :Ar( Ge) =72 .639± 0 .0 0 4这些精确数值的置信度为 95%。优于文献上所有已知的相应值。     

流动注射氢化物发生与动态反应池-电感耦合等离子体质谱法分析镍基超合金中锗砷硒

建立了流动注射(FI)氢化物发生(HG)与动态反应池(DRC)-电感耦合等离子体质谱法(CP-MS)分析镍基超合金样品中锗、砷、硒的方法。采用动态反应池-氢化物生成技术富集锗、砷、硒,选择半胱氨酸(L-Cys)以及使用气液分离装置,降低了Ni,Co基体在三种元素氢化物生成时的干扰。探讨了氢化物生成的最佳条件、气体流速及基质氧化物对测定的影响。结果表明,以2.0 g/L NaBH4作为氢气发生剂,20 g/L L-Cys作为掩蔽和增敏剂,控制气体流速为0.95 mL/min时,三种元素都有最佳的氢化物发生效