可编程模拟器件与技术新进展

简述可编程模拟器件的基本原理、典型应用和开发方法,介绍并比较主要的模拟可编程实现技术与主流器件系列,指出现存的主要问题并展望其未来发展方向.     

在系统集成中的可编程器件（三）

现场可编程门阵列(FPGA)和编程工具介绍 0.6μCMOS工艺FPGA的推出是微电子工艺进步引起系统设计变革的一个非常成功的例子。它也是半定制门阵列的设计方法和现场用户可编程的设计要求结合的产物。由于FPGA的推动,系统集成单一的ASIC途径已经被越来越多的FPGA原型设计和嵌入式CPU Core和DSP Core的设计所补充。FPGA的设计方法至少在三个方面为系统用户提供了设计手段:一是把FPGA作为设计的原型验证;二是把FPGA作为储备设计的手段;三是把FPGA作为产品上市阶段的暂时采用的电路。一旦市场形势走俏,立即用MPGA的正式电路替代。     

双波长稳频CO_2激光模糊控制系统的建模与优化

报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器，用于双波长稳频ＣＯ２激光器的控制得到令人满意的结果。     

非线性干涉滤光片开关特性及逻辑功能

应用干涉滤光片作为一种光学双稳器件,演示了光学逻辑开关功能。     

新型GaAsD－MESFETDCFL单元电路

本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ构成的单电源ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ直接耦合逻辑ＦＥＴ单元电路．该单元电路比已有的各种ＧａＡｓ数字集成电路单元电路有明显优点，是ＧａＡｓ数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路．     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

CATV网路系统主干线规划设计与MHW6342T器件的应用

本文侧重讨论了院校新型ＣＡＴＶ５５０ＭＨｚ邻频传输系统的干线设计以及选用ＭＯＴＯＲＯＬＡ ＭＨＷ６３４２Ｔ器件来改善了干线放大器性能。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。