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31.
湿敏半导体材料电导率计算方法的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
胡一帆  王豫 《功能材料》1994,25(3):255-257
结合修正了的耗尽层理论和多孔湿敏半导体的特点,本文提出了一个简单的物理模型作为n型湿敏半导体特征的一级近似。描述了多孔湿敏半导体的导电机理,并给出了湿度与宏观电导率的关系。  相似文献   
32.
CFRC应力传感器中碳纤维均匀分散对导电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了碳纤维-水泥基复合材料(CFRC)应力传感器碳纤维类型,长径比,均匀分解程度对导电性能的影响。  相似文献   
33.
《电镀与精饰》2005,27(4):52-52
为了改善稀土元素-过渡金属体系的永磁体的耐蚀性而发明本方法。该种永磁体为由一种或多种稀土元素、过渡金属主要是铁所组成。本方法为在永磁体表面上首先形成一层导电层,在导电层上电镀一层平均晶粒尺寸不超过0.9μm的铜层作为底层,底层可以是化学镀铜层、氰化物电镀铜层、以磷酸酯为主要成分的碱性有机酸盐电解液电镀铜层中的任何一种。  相似文献   
34.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
35.
《自动化博览》2003,20(4):96-96
法国国家科研中心固体物理和结晶实验室的科学家,最近研制出一种比普通金刚石半导体导电性能高出近1万倍的新型金刚石半导体,为电子元器件的开发提供了新材料。 金刚石由碳原子构成,一般不导电,纯净的金刚石其实是良好的绝缘体。但是,如果在金刚石中掺入少量的硼或者氮,它就会变成半导体。由于金刚石半导体体积小、耐高温,因此它在电子或光电子元器件制造方面具有得天独厚的优势。然而由于人们难以制造出具有更高导电性能的金刚石半导体,所以进一步发展微电子元器件制造技术便遇到了瓶颈。 据英国《自然》杂志的最新一期《物质》专刊报道,法…  相似文献   
36.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。  相似文献   
37.
在导电滑环工作过程中,它的一些主要参数的性能会对其工作稳定性、可靠性及寿命造成很大的影响.本文结合实际提出了导电滑环工作过程中的一些决定性的主要参数,并详尽地阐述了其检测方法,针对检测过程中的一些不合格数据分析了产生的原因以及相应的处理措施.  相似文献   
38.
综述了近期国内外片式钽电容器的研究现状,并对今后钽电容器的技术发展进行了展望,指出提高电容量或在相同容量下缩小体积,以及改进性能,特别是降低ESR将是今后钽电容器发展的方向,铌电容器的问世将拓宽钽电容器的应用范围,并成为电容器的一个新品种.  相似文献   
39.
科技信息     
《现代材料动态》2003,(11):24-27
  相似文献   
40.
MCM芯片安装互连及相关技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
下填充料应具有以下性能:(1)良好的流动性,以适于窄间隙、细间距的应用;(2)适宜的固化收缩应力;(3)与芯片、基板间优良的CTE匹配性,热循环应力低,满足大尺寸芯片、薄基板的需要;(4)粘接强度高;(5)良好的抗潮湿能力;(6)遮光,适于光敏器件的应用;(7)阻燃;(8)导热率高,满足大功率、高密度、高频需要;  相似文献   
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