新型存储器技术有望达到最高速度

美国Tezzaron半导体公司近日发布了一种伪静态存储器原型，据报道，这种器件能实现1．3ns延迟时间，和每个针脚2Gb／s吞吐率。这种存储器增强的速度密度被认为是开发下一代测试设备和高速成像设备以及振兴L2和L3高速缓存的关键。     

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娇小的存储配件已经在消费者的购买支出中占有了很大的比例。一家叫做Comice的新公司希望通过他们的新硬盘产品而使这类产品的价格进一步降低。Cornce Storage Element是他们出产的1.5GB的硬盘,可以存储相当于30张CD的内容而体积只有标准硬盘的一半。     

DSP系统中的外部存储器设计

实现高速DSP芯片与低速外部存储器（片外RAM和片外ROM）之间的数据通信，包括外部存储器的选择和DSP与外部存储器的接口。并以TMS320C54X与FLASH MEMORY的接口设计为例详细说明。     

基于FPGA的SDRAM控制器设计

介绍了SDRAM的结构和控制时序特点，以及基于FPGA的SDRAM控制嚣设计的关键技术，并引入仲裁机制，从而实现了快速高效地控制SDRAM。