升技 ABIT VT7

一、主板实物图以及功能芯片分析二、主板基本规格分析升技ABIT VT7以VIA PT880芯片组为主体,南桥为VT8237。能够支持INTEL最新800MHz前端总线的P4 3.4E和P4 3.4G至尊版处理器,支持超线程技术,支持RAID技术以及较新的SATA硬盘。内存技术方面,具备了对DDR400内存双通道的支持,类似于Intel的PAT技术,VIA把他们的双通道技术命名为DualStream64,同时内存控制器还提供对ECC内存的持。北桥规格从表面上看,除了没有类PAT技术以外,其余均与875P、865PE系列不相上下,而南桥由     

一种实用矿山电机车电源的实现

介绍了确保矿山电机车电源安全运行的一种实用电路的设计方案及实现电路。     

吉时利结合4200-SCS与KTEI 5．0软件

安捷伦科技日前宣布，其OmniBER XM网络模拟器平台现在可以在SONET／SDH虚拟支路／支路单元(VT／TU)上，同时进行多信道、多端口测试。多业务开通平台(MSPP)的设计人员和检验测试工程师能够同时测量数行条VT／TU信道的性能，而之前他们每次只能测试一条信道。     

三维集成电路的性能计算

基于2003 ITRS、热阻经验公式、Elmore时延模型和三维集成电路互连模型,本文估算分析单栅SOI-CMOS三维集成电路的热阻θ,简介分析功耗延迟积PDP的计算结果,估算分析阈值电压的工艺容差6 б.应用VC 链接Matlab,计算研究发现:主要源于垂直互连的贡献,针对90nm-45nm技术代,选取器件层m为4-8时,存在负载为N门m层的单栅SOI-CMOS与非门三维电路的热阻梯度和功耗延迟积各自的最优值.随着技术一代一代地发展,芯片热阻和阈值电压的工艺容差成为极大的工艺挑战.     

薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析

研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。     

阈值电压波动初探

阈值电压（Vth)是液晶材料最重要的参数之一，主要根据液晶显示屏的驱动方式来设计。合适的Vth是LCD显示质量的重要保障，在制造和生产过程中，要尽量保证它的一致性。避免器件出现对比度不良或串扰等现象。结合生产过程中的实际情况及经常出现的问题，阐述了阈值电压的影响因数及设计使用中的注意事项。     

TD480高阻抗复合管科技攻关

TD480高阻抗复合管是一种采用兼容工艺制作的双极—MOS组合晶体管，早期的研制样品其质量及可靠性未能满足军品用户的高标准要求，为此又进行大量研究工作，终于实现了从实验室样品向批量生产的高规格的军品的转化。本文提出了为实现高规格攻关目标而必须解决的问题，详细探讨了存在问题的失效机理，阐述了针对失效模型而提出的解决问题的措施，重新确定了全部工艺流水线的各工艺程序及工艺条件，用新工艺流程生产出的电路经中国电子产品可靠性与环境试验研究所进行多达二十一项各类考核，全部得以通过，标明TD480复合管质量达到新的水平，而可靠性达到了国内领先的六级水平，现该产品已在航天领域得到满意的应用。     

RADIATION EFFECT ON FLUORINATED SiO2 FILMS

A systematic investigation of γ radiation effects in gate SiO2 as a function of the fluorine ion implantation conditions was performed.It has been found that the generation of interface states and oxide trapped charges in fluorinated MOSFETs depends strongly on implantation conditions.The action of F in oxides is the conjunction of positive and negative effects.A model by forming Si-F bonds to substitute the other strained bonds which easily become charge traps under irradiation and to relax the bond stress on Si/SiO2 interface is used for experimental explanation.