石英砂均质滤料截污规律的分析研究

应用分层取样法测试了滤以的截污量。通过滤柱实验，2能够更好地分析研究石英砂均质滤料层截留浊质物的变化规律。     

高分辨率电阻率测井仪在薄层评价中的应用

传统的测井仪器无法克服纵向分辨率和径向探测深度这一矛盾，高分辨率电阻率测井仪（HDRT）测量精度好、探测深度大且垂向分辨率高，能够准确识别薄互层、评价薄油气层，准确记录油层厚度，可为精细描述油气田地下地质状态提供更多依据。     

Electron-Impact Cross Sections for Dipole- and Spin-Allowed Excitations of Hydrogen,Helium, and Lithium

Electron-impact excitation cross sections are presented for the dipole- and spin allowed transitions from the ground states to the np ²P states for hydrogen and lithium, and to the 1snp ¹P states for helium, n = 2 through 10. Two scaling formulas developed earlier by Kim [Phys. Rev. A 64, 032713 (2001)] for plane-wave Born cross sections are used. The scaled Born cross sections are in excellent agreement with available theoretical and experimental data.     

沪芦高速公路软土地基设计与研究

软土地基的处理是影响高等级公路工程质量和使用性能的重要因素 ,针对沪芦高速公路的工程特点 ,通过对不同土层力学性能分析 ,地基稳定验算以及沉降计算提出地基处理方案 ,并介绍通过地基处理后获得的显著效果     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

甲烷氧化偶联制乙烯在薄层固定床中的放大实验

研究了甲烷氧化偶联制乙烯反应从３０ｍｌ催化剂装量放大到２００ｍｌ催化剂时，催化剂粒径、床层高度、反应器管形、管径及催化床层底部与加热炉出口位置等对Ｃ２选择性和Ｃ２烃收率的影响。得出在１００ｍｍ的石英反应床中，当催化剂粒度为２０～３０目（１．０～０．６３ｍｍ），床层高度约２５ｍｍ，甲烷与氧混合气由反应管上方进入，催化剂床层底部离反应管加热出口约２０ｍｍ时，在最佳反应条件下，催化剂装量由３０ｍｌ放大到２００ｍｌ的结果基本一致。     

高层钢-钢骨混凝土混合结构的设计研究

结合一幢高层钢 钢骨混凝土混合结构的设计 ,着重介绍了在罕遇地震作用下采用层模型和空间模型的弹塑性分析计算结果、钢骨混凝土柱与钢梁的计算、节点设计及相应的构造措施 ,供结构工程师参考。     

Growth of CeO_2, Y_2O_3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor

~~Growth of CeO_2, Y_2O_3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor     

高层印制线路板正面临的对位挑战

封装工业正在推动着印制线路板技术水平朝着半导体要求的方向发展。高密度印制线路板正广泛用于网络路由器、自动测试设备和服务器领域。高密度要求(>150 IO/cm~2)正成为客户的普通需求。为满足现有的高密度封装要求,由于线宽、线距和通孔孔径正接近传统制作极限,普遍的方法就是不断增加印制线路板的层数。这些特征正驱动着印制线路板在基材、图像转移、蚀刻、电镀、阻焊、测试流程和对位系统的变化。此文主要讲述了印制线路板特性的变化趋势和利用对位模式和雷利分布去预测满足高级对位要求的能力以及印制线路板各流程中有关对准度的控制要点。     

压阻式硅微加速度传感器的结构设计与仿真

一般的压阻式硅微加速度传感器结构多采用单梁加质量块的形式,这种形式的传感器灵敏度比较高,但它的横向效应较难克服,文中提出一种四梁结构的加速度传感器,通过仿真计算,说明该结构的加速度传感器具有良好的综合特性.