SMB色谱分离过程计算机仿真

针对模拟移动床(SMB)综合速率模型，采用有限元法和正交配点法分别对柱向和颗粒径向模型进行离散化，利用MatLab ODE求解器对SMB过程进行数值求解。通过仿真，验证了该方法的可行性。     

醇-水法制备纳米NiO粉末的正交实验研究

纳米NiO粉末具有良好的催化性能、热敏性能及在各种材料中的加工性能,因而被广泛地应用在催化剂、磁性材料、电子元件材料等方面,是一种很有前途的新型功能材料。选用Ni(NO3)2.6H2O为原料,以NH4HCO3为沉淀剂,在醇-水介质中制得了纳米NiO粉末。通过扫描电子显微镜(SEM)对NiO粉末进行了表征。实验过程中,按正交表L8(27)安排了正交实验,通过方差分析确定了醇-水制备纳米NiO粉末的最佳煅烧时间、煅烧温度和醇-水比,并确定了各因素对制备过程的影响程度。     

利用粉煤灰生产SiC陶瓷原料

利用粉煤灰部分或全部代替石英砂,配以适量的锯末,在高温炉中特定的烧成制度下,采用SiO2-C还原法将粉煤灰中的二氧化硅与锯末中的碳结合制取高性能的SiC陶瓷原料。利用正交实验对合成工艺中的合成温度、保温时间、碳过量数进行了设计和探索性实验,并对合成产物中的碳化硅的含量进行了测试。研究表明,在经催化剂(FeCl26H2O)浸泡12小时,加入2%矿化剂,在1380℃的合成温度下,保温时间2小时,碳过量10%的情况下,生成的SiC陶瓷原料中SiC的含量在53.6%以上。     

纳米Al2O3,ZnO,CeO2,ZrO2对低温无铅熔块性能的影响

采用正交实验法,研究了在无铅基础熔块中,添加纳米Al2O3,ZnO,CeO2,ZrO2对其抗弯强度、维氏硬度及化学稳定性等性能的影响。结果表明:外加纳米氧化铝等可使无铅熔块抗弯强度提高30%,化学稳定性提高60%～80%,硬度提高10%左右。     

有机硅改性三聚氰胺甲醛树脂的研究

合成了有机硅改性的三聚氰胺甲醛树脂。采用正交实验方法研究了有机硅添加量、聚乙烯醇添加量、三聚氰胺/甲醛比例3种因素对树脂断裂伸长率的影响;采用红外光谱和热失重分析法对试样进行了测试。结果表明,有机硅的加入确使树脂的韧性有所提高,但是对树脂的耐热性能有一定不良影响。     

正交试验法在PAN原丝纺丝工艺中的应用

利用正交设计方法确定了PAN湿法纺丝过程中影响原丝性能最主要的因素。结果表明 :以计量泵转速、凝固浴温度、负拉伸以及蒸汽拉伸倍数作为考察对象 ,影响原丝性能的最显著因素是蒸汽拉伸倍数 ,其次是负拉伸。以负拉伸、第二拉伸、第三拉伸以及蒸汽拉伸的倍数作为考察对象 ,影响原丝性能最显著的是蒸汽拉伸倍数 ,负拉伸几乎没有影响。利用正交实验结果 ,适当调节蒸汽拉伸倍数 ,制得强度为 6.5～ 7.0cN/dtex ,线密度为 1.1～ 1.3dtex的原丝     

催化偶联法合成2-氰基-4''''-甲基联苯的工艺研究

用对氯甲苯和镁粉在微量碘引发下反应制得的格氏试剂对甲苯基氯化镁和邻氯苯腈在二氯化锰的作用下经催化偶联,得到制备沙坦类抗高血压药物的中间体2-氰基-4’-甲基联苯,通过正交实验法筛选出最佳工艺条件,收率82.9%。     

肥料磷铵溶解净化法的研究

在湿法磷酸净化中,氨化对多种杂质有沉淀去除作用,由此提出了肥料磷铵溶解净化法,用于制备生产各种精细磷化工产品的优质磷源,过滤所得残渣可返回肥料系统,不造成磷损失。以粉状磷酸一铵为原料,考察了不同温度、固液比、搅拌时间和搅拌速度对溶解浸出法溶出率、溶出液中P2O5含量的影响。通过单因子试验和正交试验,筛选出了适宜的工艺条件为:溶解温度70℃,固液比0.7,搅拌时间8min,中速搅拌,溶出率和溶出液中P2O5质量分数分别达67.04%和19.78%,铁和氟的去除率分别达99%和97%以上。     

S-苄基-L-半胱氨酸的合成

由溴化苄和L-半胱氨酸直接合成S-苄基-L-半胱氨酸,通过正交试验及统计分析,检验了各影响因子的显著性,确定了最佳工艺条件为：反应时间2.5h,反应温度45℃,原料配比n（溴化苄）：n（L-半胱氨酸）=1：1.在此条件下反应,摩尔产率可达到95%.     

基于交叉皮质模型的单幅图像阴影检测算法

图像中含有阴影区域对后续处理任务影响较大, 根据阴影特性, 提出基于交叉皮质模型(Intersecting cortical model, ICM)的单幅图像阴影检测算法. 通过在点火连接矩阵构造上考虑邻域像素值依赖关系, 融入局部二值模式(Local binary pattern, LBP)表征的纹理信息形成了Te-ICM模型. 根据阴影检测流程,利用模型迭代特性, 通过设计停止条件自动检测本影, 在本影修复后生成附着半影. 同时优化模型参数, 设计了基于分层聚类直方图划分的阈值下降策略. 仿真结果表明: 对于典型影像集, Te-ICM模型及相应参数设计可以较好地实现阴影检测, 输出阴影掩模准确度高, 为后续阴影去除提供了基础.